AI产业链地图

三星电子

005930 · 韩股

三星电子以 DRAM、HBM、NAND 等存储器件为核心业务，向 AI 芯片和云平台客户供货，同时经营晶圆代工与智能终端。存储路线图从 DDR5/HBM3E 推进到 HBM4，并以 12 层 HBM4E 样品指向下一代 AI 加速器内存。公司跨越第二层芯片系统与第三层 AI 存储系统，是 AI 基础设施中兼具存储供给和制造平台的厂商

第二层 · 芯片系统存储体系韩国京畿道水原
公司课 · 前 2 单元免登五门生意装在一家公司里，只有一门在赚钱全球最大的存储与面板厂商之一，也是唯一同时做存储、代工与终端的公司。五门生意，一门赚钱。5 单元 · 17 节 · 85 题 · 约 127 分钟开始上课 →3D 模型：HBM3E 堆叠 ×8算力全景 3DHBM3E 堆叠 ×8拆开看 →

三星电子（005930.KS）

三星电子是全球存储芯片龙头，卡在 AI 产业链第二层的存储体系环节，凭 DRAM、HBM 和 NAND 规模供给 AI 加速器与数据中心。 2026Q1 全球 DRAM 市场占有率 38%，排名第一；HBM 已从 HBM3E 推进到 HBM4E 送样，并延伸至晶圆代工与智能终端。

一、主营业务与产品矩阵

  • DRAM（核心）覆盖 DDR5 等通用 DRAM 产品，2026Q1 全球 DRAM 市场占有率 38%，排名第一；DRAM 是公司利润和 HBM 产能转换的基础。
  • HBM（AI 内存）面向 AI 加速器的高带宽内存，产品线从 HBM3E 向 HBM4/HBM4E 推进；2026 年 5 月向客户发送 12 层 HBM4E 样品，2024 年 HBM 销售市场份额 39%。
  • NAND Flash 与企业级 SSD覆盖 NAND Flash 和 SSD/eSSD，面向数据中心与消费电子；全球 NAND 销售额 2024 年为 $108bn，2025E 为 $133.1bn（美银，2026-06-26）。
  • 晶圆代工与 ASIC 设计服务提供先进制程代工与定制 ASIC 合作，2026 年 6 月获得 Neuralink 四代脑机芯片 4nm 代工订单，并推进 Meta 下一代 AI 加速器 MTIA 的 ASIC 设计与生产合作。
  • 智能终端与 AI 入口智能手机等移动终端业务在 2026Q2 出货 62.7 百万台、全球份额 22.6%；公司已在 2026 年 4 月确认将发布首款 AI 眼镜。

二、产业链位置

在图谱里看 →
所属存储体系
上游 · 谁给它供货14 个环节
半导体设备与核心材料ASML9 家 · Advantest3 家 · BESI · SEMES +2 · Wonik IPS4 家 · 东丽
存储体系YC · Eugene Tech · DI · Neosem +2 · Exicon · Techwing
AI硬件终端舜宇光学科技 · 比亚迪电子 · 蓝思科技
高速互联澜起科技3 家
先进封装Simmtech
晶圆代工台积电
研报还提到FormFactor3 家 · probe cards · Montage3 家 · CXL MXC chips · Soulbrain3 家 · hydrogen fluor · Arm2 家 · Compute Subsys
模型部署与优化Qualcomm6 家
被动元件三星电机 · TDK
云计算与智算平台Google
热管理与散热尼得科 · 3M
功率器件Qorvo
供电网络Duksan Neolux
其他Shinkawa · Kulicke and Soffa · Hansol Chemical · KH Vatec +2 · 惠科股份 · 卓兆点胶
下游 · 谁在采购6 个环节
核心逻辑芯片NVIDIA21 家 · AMD7 家 · Broadcom6 家 · Groq
云计算与智算平台Google11 家 · AWS5 家 · Microsoft8 家 · 字节跳动
模型工厂Meta · OpenAI5 家 · xAI
智能驾驶Tesla15 家
其他AI垂直应用Apple8 家
其他Qualcomm · Kunlun · Neuralink
竞争对手10 家
SK海力士29 家 · 美光科技27 家 · 台积电20 家 · Apple17 家 +2 · 铠侠5 家 · 长鑫存储7 家
研报还提到英特尔6 家 · foundry · 闪迪6 家 · NAND flash · 华为5 家 · 折叠屏手机 · 西部数据4 家 · 存储芯片

三、各家研报目标价

研报数据 · 11-07 更新 · 点数字看原文出处

近 180 天 3 家 · 中位数₩460,000最低 — 最高₩420,000 — 535,000
200,000400,000600,0003月5月7月9月11月瑞银 535,000花旗 460,000高盛 420,000摩根大通 350,000
机构最新目标价上一次日期
瑞银₩257,00009-22
高盛首次06-29
花旗₩110,00006-23

四、竞争格局

DRAM 市场呈一超两强：2026Q1 三星以 38% 居首，SK 海力士 29%、美光 22%。三星的壁垒在 DRAM/NAND 组合、资本开支规模和先进存储量产能力，但 HBM 上竞争更激烈：2024 年 HBM 销售市场份额 39%，美银估计 2025E 降至 19%、2026E 回升至 31%、2027E 为 37%（美银，2026-06-26）。短板集中在先进制程代工和 HBM 客户认证节奏，台积电、Intel 在领先制程上仍领先；中长期看，长鑫存储、长江存储等中国厂商在存储领域形成国产替代压力。

五、经营数据

指标 2022 2023 2024 2025 2026E 2027E 来源
市场份额（%） 32 34 35 31 29 29 摩根大通
HBM 销售市场份额（%） 34 — 39 19 31 37 美银
HBM TSV 产能（K wpm） — 45 130 150 220 — 摩根士丹利
HBM 隐含产量（mn Gb） — 1,500 4,435 6,387 9,560 — 摩根士丹利
DRAM 资本开支（亿美元） — — — 198.2 268.3 421.4 摩根大通
自由现金流（万亿韩元） 8.0 -20.0 20.0 20.0 95.0 210.0 摩根士丹利

数据来源：摩根大通 2026-07-14；摩根士丹利 2026-07-14；美银 2026-06-26。

盈利预测

研报数据 · 11-07 更新 · 点数字看原文出处

每格是近 180 天各家最新预测的中位数，下一行是最低—最高和家数。已公布的实际数见「行情与财报」。

指标2026E2027E2028E
营业收入（亿韩元）6,998,080.03,641,920.0–7,162,505.0 · 6 家9,814,877.09,073,210.0–10,748,010.0 · 5 家10,988,390.07,256,410.0–12,224,310.0 · 5 家
归母净利润（亿韩元）2,987,320.02,850,140.0–3,164,950.0 · 5 家4,886,332.04,097,440.0–5,450,400.0 · 5 家5,286,730.02,929,000.0–6,781,080.0 · 5 家
EPS（₩）46,851.5043,388.50–48,788.00 · 4 家73,995.7568,995.00–86,571.00 · 4 家86,391.7547,328.00–110,191.00 · 4 家
按机构看 · 营业收入（亿韩元）
机构2026E2027E2028E日期
高盛10-08
摩根士丹利10-05
伯恩斯坦09-29
摩根大通09-18
野村09-03
花旗——06-23
按机构看 · 归母净利润（亿韩元）
机构2026E2027E2028E日期
高盛10-08
摩根士丹利10-05
伯恩斯坦09-29
摩根大通09-18
野村09-03
按机构看 · EPS
机构2026E2027E2028E日期
伯恩斯坦10-16
瑞银09-28
摩根大通09-18
野村09-03

行情与财报

六、投资视角：多空逻辑

多头 · 催化
存储龙头份额稳固2026Q1 全球 DRAM 市场占有率 38%，排名第一。
AI 存储代际推进2026 年 5 月送样 12 层 HBM4E，切入下一代 AI 加速器内存需求。
业绩弹性释放2026Q2 初步业绩销售额 ₩171 万亿、营业利润 ₩89.4 万亿，2026Q1 营业利润 ₩57.2 万亿。
制造平台外延Neuralink 4nm 代工订单与 Meta MTIA ASIC 合作打开定制 AI 芯片入口。
空头 · 风险
HBM 份额不稳美银估计 HBM 销售市场份额从 2024 年 39% 降至 2025E 19%，2026E/2027E 回升至 31%/37%（美银，2026-06-26）。
存储周期依赖利润高增长来自存储涨价，若供给释放或 AI 需求放缓，DRAM/NAND 价格回落会压缩盈利。
先进制程竞争在晶圆代工环节，台积电和 Intel 在领先制程上更强，三星需要靠订单验证追赶。
资本开支压力2026 年 6 月宣布 ₩2655 万亿投资计划，叠加存储晶圆厂建设，资本开支强度维持高位。

七、近期动态（倒序）

研报数据 · 11-07 更新 · 近 120 天，同一件事多家机构写到的合成一条

2026-10
三星计划于CES 2027展示消费级机器人。（国金证券）
2026-10
三星积极推进扩产计划。（东吴证券）
2026-10
三星规划8.6代线。（国金证券）
2026-10
三星正在大幅扩张先进封装产能。（国金证券）
2026-10
三星允许英伟达将NVHBM基底芯片交给台积电3nm制程代工，首次在HBM制造阶段与台积电合作。（申港证券 · 高盛）
2026-10
Samsung 于 2026 年 9 月公布自 2028 年起在 DRAM 采用 High-NA EUV 的路线图。（摩根士丹利 · 高盛 · 伯恩斯坦 · 美银）
2026-10
泰勒 Fab1 计划于 2026 年内上线，已进入验证阶段。（东海证券）
2026-10
三星电子与 AMD 联合展示服务器共享内存池的 CXL 技术。（东海证券）
2026-10
三星电子参与Anthropic的H轮融资。（野村）
2026-10
Samsung可能在2028年新增超过150k wpm DRAM产能。（瑞银 · 万联证券 · 国元证券 · 高盛 · 东吴证券）
2026-10
研报认为Samsung可能瞄准2028年末推出0a nm 4F2 VCAT。（瑞银）
2026-10
三星计划扩张50亿美元，聚焦存储芯片测试。（摩根大通）

增量补充（2026-07-28）

来源：图片帖 2026-07-27 14 44（社媒剪辑／转述，未证实传闻）

  • 韩国本地媒体称三星正考虑采用中国制造的 DRAM（2026-07-27，经 @jukan05 推文转述）。
  • 若属实，意味着国产 DRAM 首次进入海外一线原厂采购视野；但消息仅为「考虑中」，未给出品类、用途、量级或时点。
  • ⚠️ 溯源链条为「韩媒 → 推特账号 → 星球截图」三跳，未见一手报道，引用时必须标注为未证实传闻。

数据来源

  • 伯恩斯坦《Global Memory：Korea Memory Export Tracker （Jun）： Strong HBM in 2Q26， esp. for Sa》2026-07-20
  • 摩根大通《Asia Technology Asian investor marketing feedback on memory-Korea tech and holdc》2026-07-14
  • 高盛《Asia Pacific Technology： Semiconductors ~Memory： Nanya Tech 2Q26 read~across： so》2026-07-10
  • 野村《Samsung Electronics（005930）2Q strong beat with impressive memory results》2026-07-07
  • 花旗《Samsung Electronics （005930.KS） 2Q26E Preview： Bonus Provisions to Weigh on 2Q O》2026-06-23
  • 美银《Global Memory Tech Weekly theme-Vera memory cut, strong June, Samsung dividend, 》2026-06-13
  • 汇丰《The Flying Dutchman：Asia’s AI 3 vs Mag 7》2026-06-03
  • 瑞银《Global Sustainability：AI Supply Chains Meet Energy Reality： Taiwan and Korea》2026-04-22
  • 子行业全景见 存储体系