长鑫存储
长鑫存储是中国 DRAM 一体化制造商，处于存储体系芯片环节，以国产内存颗粒切入全球 DRAM 供给。 2025 年公司全球 DRAM 销售额市占率为 7.67%，位列全球第四。公司在合肥及北京拥有三座 12 英寸晶圆厂，月产能约 30 万片，并已与腾讯、字节跳动签订多年服务器 DRAM 供货协议。
一、主营业务与产品矩阵
- 标准 DRAM 颗粒（核心）覆盖 DDR4 到 DDR5 标准内存颗粒，DDR5 最高速率 8000Mbps，颗粒容量覆盖 16Gb/24Gb，功耗较 DDR4 降低 20%。
- 移动端内存由 LPDDR5 推进至 LPDDR5X，2025 年 10 月宣布已量产 LPDDR5X，颗粒覆盖 12Gb/16Gb，最高速率 10667Mbps，较 LPDDR5 速率提升 66%、功耗降低 30%。
- 模组与服务器 DRAM 供应（长协）以多系列模组、芯片和服务器 DRAM 颗粒进入云厂及终端供应链，把单颗产品扩展为系统级内存供应。2026 年 6 月与腾讯签署超 ￥200 亿元、三至五年服务器 DRAM 协议，2026 年 7 月与字节跳动签署 5 年超 $70 亿协议。
- 晶圆制造与产能（IDM）在合肥及北京拥有三座 12 英寸晶圆厂，月产能约 30 万片，支撑颗粒、芯片和模组产品线。产能从 2019 年 2 万片/月提升至 2024 年 20 万片/月，2019 年至 2024 年复合增长率 58.5%，产能利用率维持在 90% 以上。
二、产业链位置
在图谱里看 →所属存储体系
下游 · 谁在采购4 个环节
存储体系兆易创新3 家 · 中电港 · Corsair
竞争对手6 家
研报还提到Nanya Tech2 家 · DRAM · Nanya Technology2 家 · DDR4 · 长江存储2 家 · NAND
各家研报目标价
研报数据 · 11-07 更新 · 点数字看原文出处
近 180 天 5 家 · 中位数￥88.00最低 — 最高￥70.00 — 130
| 机构 | 最新目标价 | 上一次 | 日期 |
|---|---|---|---|
| 瑞银 | ￥70.00 | 10-19 | |
| 高盛 | ￥129 | 10-19 | |
| 野村 | 维持 | 10-14 | |
| 伯恩斯坦 | 维持 | 09-22 | |
| 摩根士丹利 | 首次 | 08-26 |
三、竞争格局
全球 DRAM 仍是高集中市场，三星电子、SK 海力士、美光科技三家占据主导，长鑫存储是第四家规模化厂商。其全球 DRAM 市占率从 2024 年 5% 升至 2025 年 7.67%，份额提升来自本土产能扩张和国产替代需求。长鑫的壁垒在于三座 12 英寸晶圆厂、约 30 万片/月产能，以及与腾讯、字节跳动等云厂签订的多年服务器 DRAM 供货协议。短板同样清楚：公司公开产品节点集中在 DDR5 和 LPDDR5X，高端 AI 存储放量仍需验证；在先进存储和全球客户覆盖上，它与三大龙头仍有差距。
四、盈利预测
研报数据 · 11-07 更新 · 点数字看原文出处
每格是近 180 天各家最新预测的中位数，下一行是最低—最高和家数。已公布的实际数见「行情与财报」。
| 指标 | 2026E | 2027E | 2028E |
|---|---|---|---|
| 营业收入（亿元） | 3,991.42,906.7–4,529.0 · 5 家 | 6,972.95,607.9–7,494.0 · 5 家 | 8,705.57,024.0–9,196.5 · 5 家 |
| 归母净利润（亿元） | 1,908.41,303.2–2,427.5 · 4 家 | 3,552.82,772.5–4,110.3 · 4 家 | 4,347.23,930.7–4,810.4 · 4 家 |
| EPS（元） | 2.961.95–4.04 · 5 家 | 5.484.09–6.82 · 5 家 | 6.305.80–7.20 · 5 家 |
按机构看 · 营业收入（亿元）
| 机构 | 2026E | 2027E | 2028E | 日期 |
|---|---|---|---|---|
| 摩根士丹利 | 10-21 | |||
| 瑞银 | 10-19 | |||
| 高盛 | 10-19 | |||
| 伯恩斯坦 | 09-29 | |||
| 野村 | 07-27 |
按机构看 · 归母净利润（亿元）
| 机构 | 2026E | 2027E | 2028E | 日期 |
|---|---|---|---|---|
| 摩根士丹利 | 10-21 | |||
| 瑞银 | 10-19 | |||
| 高盛 | 10-19 | |||
| 野村 | 07-27 |
按机构看 · EPS
| 机构 | 2026E | 2027E | 2028E | 日期 |
|---|---|---|---|---|
| 摩根士丹利 | 10-21 | |||
| 高盛 | 10-19 | |||
| 瑞银 | 10-19 | |||
| 野村 | 10-14 | |||
| 伯恩斯坦 | 10-08 |
五、投资视角：多空逻辑
多头 · 催化
份额提升仍在兑现全球 DRAM 市占率从 2024 年 5% 升至 2025 年 7.67%，公司稳居全球第四。
产品代际完成切换DDR5 最高速率达 8000Mbps，LPDDR5X 最高速率达 10667Mbps，较 LPDDR5 速率提升 66%、功耗降低 30%。
产能规模支撑供货三座 12 英寸晶圆厂月产能约 30 万片，2019 年至 2024 年产能复合增长率 58.5%。
盈利已经跨过盈亏线2022 年至 2024 年连续亏损后，2025 年归母净利润转为 ￥18.6 亿元。
六、近期动态（倒序）
研报数据 · 11-07 更新 · 近 120 天，同一件事多家机构写到的合成一条
2026-10
预计长鑫存储2027年实现HBM3e量产。（东吴证券）
2026-10
长鑫存储提出年底前推出基于新架构的服务器DDR5 RDIMM产品。（金圆统一证券 · 野村 · 伯恩斯坦）
2026-10
董事长提议回购人民币 10 亿至 20 亿元股份，仍须董事会或股东批准。（摩根士丹利）
2026-10
CXMT宣布4F²技术突破。（伯恩斯坦）
2026-10
CXMT 在上海和合肥建设新的 DRAM 设施。（美银）
2026-10
CXMT给出9M26归母净利润指引。（瑞银）
2026-10
CXMT宣布第五代DRAM技术平台G5已开始量产。（高盛 · 开源证券 · 巴克莱）
2026-10
长鑫存储宣布架构研发取得关键进展，相关产品预计年底推出。（开源证券）
2026-10
CXMT目标在2026年底达到送样阶段。（高盛）
2026-10
CXMT总裁表示计划年末前推出4F2 VCAT DRAM，研报认为可能仅研发或样品阶段。（瑞银）
2026-10
CXMT科创板IPO融资约86亿美元，主要用于存储晶圆产能。（摩根士丹利）
2026-10
长鑫初始量产路线图为2024年G4、2025年G4.5、2026年G5、2027至28年G5 4F²及2028至29年G6。（野村）
增量补充（2026-07-28）
来源：如何看待长鑫上市对存储板块的影响？（社媒剪辑／转述）｜野村--长鑫，按这个目标价，市值7.87万亿（社媒剪辑／转述）
- 已上市，首日收盘市值约 ￥3 万多亿，首日成交额约 ￥1400 亿（超过东方财富约 ￥900 亿的历史单体最高纪录），但未形成资金虹吸，反而带动科技板块反弹。
- 利润口径存在两套算法：归母口径 2026Q1 约 ￥240 多亿、上半年约 ￥500 多亿、全年预估 ￥1000 多亿；若按收回少数股东权益后的工厂总利润口径，部分机构对 2027 年集团总利润预测达 ￥3500–4000 亿。⚠️ 引用时必须标明口径。
- 估值锚在周期股（海外存储原厂 3–5× PE）与成长股之间：按归母口径对应 2027 年约十几到二十倍 PE，按收回口径约 10× PE。
- 野村目标价对应市值约 ￥7.87 万亿（约为首日收盘的 2.5 倍以上），星主明确不做解读、称"敏感话题"，评论区亦有明显分歧。
- 基本面：2025Q4 全球 DRAM 市占率 7.67%；已迭代至第四代工艺平台；产品覆盖 DDR4/DDR5/LPDDR4/LPDDR5；采用 IDM 模式。
- G4 工艺采用存储与逻辑电路分离制造，逻辑部分（备赛）可外包代工，制程集中 28nm/40nm → 为国内晶圆代工带来新增需求（利好 晶合集成）。
- 当前约 30 万片产能，国产设备替代空间仍有两到三倍。
数据来源
- 交银国际证券《产能替代窗口开启：大厂淡出与长鑫赋能共振》2026-07-17
- 爱建证券《公司深度报告：两存上市乘风起，国产分销势正隆》2026-07-13
- 东吴证券《机械设备行业跟踪周报：推荐国产化加速&高景气的半导体设备；看好AIDC产业链液冷和燃机机会》2026-07-12
- 东莞证券《半导体行业2026年下半年投资策略：人工智能持续演进，多重环节有望受益》2026-07-06
- 国金证券《通信行业研究：韩国800万亿加码AI基建，国产链迎业绩兑现期》2026-07-05
- 东吴证券《存储测试机专题：AI算力催生HBM带动测试机新需求，国产设备商加速突破》2026-07-02
- 华源证券《面板显影液龙头，IC材料国产突围有望打开成长新空间》2026-05-29
- 国金证券《半导体配套设备国产替代领军者，先发卡位优势显著》2026-05-22
- 子行业全景见 存储体系