AI产业链地图

SK海力士

000660 · 韩股

SK 海力士以 DRAM、NAND Flash 和 HBM 三条产品线进入 AI 加速器与数据中心内存市场。产品代际从 DDR4/HBM3E 推进到 DDR5/HBM4E，并从内存芯片延伸到企业级 SSD 与 AI 存储系统。公司同时位于芯片系统与 AI 存储系统两层，其 HBM 供给能力直接影响 AI 集群算力释放

第二层 · 芯片系统存储体系韩国京畿道利川
公司课 · 前 2 单元免登普通内存的老二，高带宽内存的第一HBM 高带宽存储的领先供应商。贴在 AI 芯片旁边的那几颗堆叠内存，决定整颗芯片能跑多快。5 单元 · 17 节 · 85 题 · 约 109 分钟开始上课 →3D 模型：HBM3E 堆叠 ×8算力全景 3DHBM3E 堆叠 ×8拆开看 →

SK海力士（000660.KS）

SK 海力士是全球第二大存储芯片厂商，也是 AI 加速器 HBM 内存的核心供应商，凭借 DRAM、HBM 与先进封装能力卡在 AI 存储环节。 2024 年 DRAM 占收入 68%、NAND 占 29%，2025 年收入 ₩97.1 万亿。2025 年 HBM 市场份额 58.3%，在 AI 内存供给中保持领先。

一、主营业务与产品矩阵

  • HBM（AI 内存核心）以 HBM3E 为当前主力，HBM4E 已于 2026 年 6 月向主要客户送样并交付；2025 年 HBM 市场份额 58.3%，是 AI 加速器内存供给的第一供应商。
  • 服务器 DRAM / DDR5覆盖 DDR5、DDR4 等服务器与 PC 内存，2024 年 DRAM 占收入 68%；2026 年第一季度全球 DRAM 市场份额 29%，仅次于三星电子。
  • NAND Flash 与企业级 SSDNAND 芯片与企业级 SSD 由 Solidigm 等平台承接，2024 年 NAND 占收入 29%，当年 NAND 销售额 $12.4bn；清州 NAND 扩产强化企业级存储供给。
  • 客户协同与产能生态与 NVIDIA 签署多年期技术合作协议，参与下一代内存定义与 AI 基础设施扩展；2026 年 7 月纳斯达克 ADR 募资 $265.07 亿，全部用于内存产能与工艺升级。

二、产业链位置

在图谱里看 →
所属存储体系
上游 · 谁给它供货6 个环节
半导体设备与核心材料ASML10 家 · ASMPT4 家 · Hanwha Semitech · Advantest3 家 +2 · 中科仪3 家 · BESI
存储体系DI · Unitest · Eugene Tech · Neosem +2 · Techwing · YC
晶圆代工台积电5 家
高速互联澜起科技3 家
其他Kulicke and Soffa · Namics · Hansol Chemical · 中船特气 +2 · 金宏气体 · Soulbrain
研报还提到Hanmi Semiconductor3 家 · TC Bonder · Montage3 家 · CXL MXC chips · 中巨芯3 家 · 高纯氯气、高纯氯化氢、高纯氟
下游 · 谁在采购7 个环节
核心逻辑芯片NVIDIA2 家 · AMD2 家
云计算与智算平台Google6 家 · Amazon3 家 · Microsoft6 家
模型工厂OpenAI3 家 · Meta3 家
其他AI垂直应用Apple5 家
存储体系Phison · 戴尔科技集团
其他联发科 · Dell Technologies · Tesla
研报还提到AWS4 家 · HBM3e 12hi
竞争对手9 家
三星电子29 家 · 美光科技27 家 · 铠侠5 家 · 长鑫存储6 家 +2 · 南亚科技3 家 · SanDisk7 家
研报还提到西部数据4 家 · 存储芯片 · 长江存储4 家 · NAND芯片 · Nanya Tech3 家 · DRAM

三、各家研报目标价一览

早期目标价未反映 2026 年 6 月后 ADR 上市、HBM4E 客户送样与存储涨价带来的快速重定价，时间越早越滞后。

出具日期 机构 目标价 评级 / 要点
2026-07-22 交银国际证券 ₩3,500,000 买入
2026-07-16 伯恩斯坦 ₩3,300,000 —
2026-07-12 摩根士丹利 ₩2,600,000 —
2026-06-25 汇丰 ₩4,000,000 Buy
2026-06-24 野村 ₩4,700,000 —
2026-06-09 摩根大通 ₩3,000,000 Overweight
2026-06-01 高盛 ₩3,500,000 —
2026-05-09 美银 ₩2,100,000 按 8x 2026-27E P/E
2026-04-23 瑞银 ₩1,800,000 Buy
2026-04-17 BofA Securities ₩1,650,000 按 7x 2026-27E EPS
2026-02-24 花旗 ₩1,550,000 —

四、竞争格局

全球存储市场是典型寡头格局：DRAM 由三星电子、SK 海力士、美光科技三家主导，2026 年第一季度三星份额 38%，SK 海力士 29%，美光 22%。在 AI 相关的 HBM 细分市场，SK 海力士暂时领先，2025 年份额 58.3%，并率先推进 HBM4E 客户送样；三星电子与美光科技正加速认证与扩产，试图把 HBM 供给从单点领先拉回多供应商格局。公司的壁垒在于 HBM TSV/堆叠良率、与加速器客户的联合验证，以及巨额资本开支形成的产能门槛。短板同样清楚：NAND 周期性和价格竞争更强，利基 DRAM 与成熟制程面临长鑫存储、长江存储等中国厂商压力；若 HBM 客户导入第二供应商，份额溢价会被稀释。

五、盈利预测

研报数据 · 11-07 更新 · 点数字看原文出处

每格是近 180 天各家最新预测的中位数，下一行是最低—最高和家数。已公布的实际数见「行情与财报」。

指标2026E2027E2028E
营业收入（亿韩元）3,388,300.0851,600.0–3,527,170.0 · 7 家5,083,460.03,693,645.0–5,870,810.0 · 7 家5,863,970.03,290,723.3–7,588,630.0 · 7 家
归母净利润（亿韩元）2,518,062.51,385,205.0–2,664,054.0 · 6 家3,464,550.03,045,910.0–3,902,270.0 · 6 家3,789,905.02,416,020.0–4,873,340.0 · 6 家
EPS（₩）359,930.00345,384.00–395,053.00 · 5 家529,298.00451,280.00–610,284.00 · 5 家647,789.00380,626.00–745,367.00 · 5 家
按机构看 · 营业收入（亿韩元）
机构2026E2027E2028E日期
伯恩斯坦09-29
瑞银09-28
摩根大通09-10
野村09-03
高盛08-19
摩根士丹利08-06
汇丰06-25
按机构看 · 归母净利润（亿韩元）
机构2026E2027E2028E日期
伯恩斯坦09-29
瑞银09-28
摩根大通09-10
野村09-03
高盛08-19
摩根士丹利08-06
按机构看 · EPS
机构2026E2027E2028E日期
伯恩斯坦10-16
瑞银09-28
摩根大通09-09
野村09-03
摩根士丹利08-06

行情与财报

六、投资视角：多空逻辑

多头 · 催化
HBM 卡位 AI 内存瓶颈2025 年 HBM 市场份额 58.3%，HBM3E 已量产、HBM4E 已向主要客户送样并交付，领先一代产品节奏。
常规 DRAM 涨价放大利润弹性DRAM 在 2024 年贡献 68% 收入，2026 年第一季度全球 DRAM 份额 29%，供给紧张周期中价格上行直接改善盈利。
客户协同从供货升级为联合定义与 NVIDIA 签署多年期技术合作协议，下一代内存开发与 AI 基础设施扩展绑定，降低单纯买卖关系的价格波动风险。
资本通道支撑多年扩产2026 年 7 月纳斯达克 ADR 募资 $265.07 亿，资金全部用于内存产能与工艺升级，龙仁、清州与西南部项目形成产能接续。
空头 · 风险
HBM 份额回落风险三星电子与美光科技加速 HBM 认证，美银预计公司 HBM bit 份额从 2025E 58% 降至 2026E 48%（美银，2026-06-26）。
存储周期反转DRAM/NAND 价格历史上大起大落，若 AI 资本开支放缓或供给集中释放，当前高毛利率难以维持。
资本开支强度抬高折旧压力龙仁、清州与西南部项目需要多年巨额投入，新增产能若遇到价格下行，会放大折旧与现金流压力。
成熟产品竞争加剧利基 DRAM 和 NAND 面临长鑫存储、长江存储等中国厂商扩产压力，传统消费电子与通用服务器内存价格更易受冲击。

七、近期动态（倒序）

研报数据 · 11-07 更新 · 近 120 天，同一件事多家机构写到的合成一条

2026-10
SK海力士持续加大HBM及先进DRAM产能投入。（东吴证券 · 万联证券）
2026-10
计划将iHBM应用于HBM5等下一代产品，路线图发布时间为2029年，仍在验证与商业化准备阶段。（开源证券）
2026-10
SK Hynix大连二期开始导入设备，或推动辽宁进口增长。（野村 · 瑞银）
2026-10
SK Hynix参与Anthropic的H轮融资。（野村）
2026-10
海力士指引今年资本开支同比增长约75%。（伯恩斯坦）
2026-10
SK 海力士计划完成清州先进封装厂建设。（爱建证券）
2026-10
Hynix展示4F²测试阵列成功读写操作。（高盛）
2026-10
SK Hynix宣布大连NAND闪存产能扩张约50%，目标2027年上半年投产。（野村 · 东海证券）
2026-10
Hynix Yongin 项目的晶圆厂设备安装提前。（摩根士丹利 · 瑞银）
2026-09
SK海力士登陆美股并募资265亿美元。（东吴证券 · 国金证券）
2026-09
Cheongju M15X DRAM设备自4Q25开始进场。（瑞银）
2026-09
Hynix 已开展早期实验并逐步开发基于 PCIe5、PCI6 的设备。（美银）

数据来源

  • 汇丰《SK Hynix（000660）Buy： 2Q26 preview – another robust 2Q and ADR premium》2026-06-25
  • 野村《Global Memory：Slightly diversified earnings in 2Q26； likely better pricing in 3Q》2026-06-24
  • 摩根大通《Asia Pacific Equity Derivatives Strategy：Skew Normalization Reinforces Our Conso》2026-06-09
  • 高盛《South Korea Tech： May 2026 export tracker： Record~high DRAM exports with 370% yo》2026-06-01
  • 美银《Global Memory Tech Weekly theme-upbeat near-term and long- term earnings outlook》2026-05-09
  • 瑞银《Key Call： SK Hynix（000660.KS）Significant inflexion in shareholder returns ahead》2026-04-23
  • BofA Securities《Global Memory Tech：HK investor feedback： ten key takeways and discussion points》2026-04-17
  • 花旗《SK Hynix （000660.KS） Project 2026E OP of W190tr； Raise TP to W1，550k （vs. W1，400》2026-02-24
  • 子行业全景见 存储体系