AI产业链地图

HBM4

HBM 第 4 代,16 层堆叠 + 混合键合,带宽目标突破 2 TB/s,2025-2026 量产,是下一代 AI 芯片决胜的关键存储(据 存储体系)

首次提出2024关键参与方SK海力士, 三星电子, 美光科技

HBM4(High Bandwidth Memory 4)

是什么

HBM4 把堆叠层数从 HBM3E 的 8/12 层提升到 16 层,封装环节从 TSV + 微凸点升级为 混合键合,是 NVIDIA Rubin、AMD MI400 系列芯片的核心配套。

关键参数

维度 数据
堆叠层数 16 层
关键工艺 混合键合
带宽目标 >2 TB/s
量产时间 2025-2026
HBM TAM 2028 $1,000 亿(美光)

数据综合 据 存储体系。

玩家进展

  • SK海力士97 份研报全球唯一可同时稳定供应 HBM3E + HBM4 的厂商
  • 三星电子99 份研报率先采用 1c DRAM 工艺,HBM4 良率近 60%,2026 份额预计 30%+
  • 美光科技49 份研报2026 实现产能爬坡,加速追赶

关键瓶颈

研报数据

研报数据 · 11-07 更新 · 点数字看原文出处

研报里也常提到

NVIDIA112 · AMD57 · Google52 · Microsoft47 · Meta33 · Intel27 · 台积电24 · 长鑫存储24 · AWS23 · Amazon21 · OpenAI19

数字 = 讨论它时同时写到这家公司的研报份数。

研报关注度 · 2026 年每月
0.91月
1.52月
1.43月
1.04月
0.65月
0.96月
0.77月
0.98月
0.79月
0.610月

实质讨论它的研报页数占当月全部研报页数的百分比。

各家给的市场规模(亿美元)
2026E
摩根士丹利
2027E
摩根士丹利

只收美元口径、指标名里直接写了它的数。

谁供货给谁
供应方买方产品写到的机构
三星电子→NVIDIAHBM416
SK海力士→NVIDIAHBM413
美光科技→NVIDIAHBM48
三星电子→AMDHBM45
三星电子→OpenAIHBM3E/HBM4E4
美光科技→AMDHBM44
台积电→SK海力士HBM4 base die4
SK海力士→OpenAIHBM43
三星电子→MicrosoftHBM43
SK海力士→GoogleHBM3E/HBM4/HBM4E2
常和它一起出现的概念

数字是同页共现次数,中英文写法已合并。

近期动态
10-25
海外龙头已陆续实现HBM4量产。东吴证券
10-23
英伟达公开基于HBM4E架构的定制产品NVHBM。申港证券
10-20
美光与英伟达合作开发面向未来GPU平台的定制HBM4E方案。摩根大通
10-13
d-Matrix 与 Alchip 宣布开发其所称全球首个 AI 推理3D DRAM方案,目标较 HBM4 方案最多快10倍。摩根士丹利
10-12
MU 获得业内首个定制 HBM4E 项目。摩根大通
09-30
三星宣布HBM4量产并实现商业出货。西南证券
09-30
三星计划提高 HBM4 及 HBM4E 出货量并增加玻璃载板采购。中银证券
09-29
因 HBM4 进展较慢,将 SK hynix 估值市盈率下调至5.1倍。伯恩斯坦 · 瑞银 · 爱建证券

关键来源