先进封装（Advanced Packaging）
后摩尔时代延续半导体性能提升的关键路径。当晶体管制程逼近物理极限，封装从"保护与连接"升级为"性能与集成"的核心环节，承担起算力密度、带宽墙和异构整合三大攻坚任务（据2-05）。
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是什么
相比传统引线键合 / 倒装球栅阵列（FC-BGA），先进封装通过 TSV（硅通孔）、RDL（再布线层）、硅中介层、晶圆级键合等工艺，把多颗 die、HBM 与基板高密度互联，实现"封装即系统"。2024 全球先进封装市场 $471 亿，占整体封装 47.3%；2026 将突破 50% 临界点（据2-05）。
解决的三大矛盾
- 算力密度矛盾 — 制程红利衰减，单 die 提算力越来越贵 → 用 Chiplet + 先进封装把多个 die 拼成系统
- 带宽墙矛盾 — GPU 与内存间的带宽成为决定性瓶颈 → CoWoS / 2.5D 让 HBM 紧贴 GPU
- 异构整合矛盾 — CPU/GPU/NPU/Memory/RF 需在同一封装内协同 → SiP / FOWLP / 3D 封装 把异构 die 集成
四大主流路线
| 路线 | 代表工艺 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 2.5D 封装 | CoWoS / CoWoS-L / XDFOI | AI GPU + HBM（H100 / B200 / MI300X） |
| 3D 封装 | SoIC / Foveros / TSV 堆叠 | HBM、CMOS Image Sensor、下一代 AI 芯片 |
| 扇出型 | FOWLP / FOPLP / InFO | Apple A 系列、AMD Ryzen |
| SiP | 异构模组、天线集成 | Apple Watch、TWS 耳机、毫米波雷达 |
主要玩家
- 晶圆代工系：台积电（CoWoS / SoIC / InFO 三大支柱）
- OSAT 系：日月光投控、长电科技、通富微电、甬矽电子
- IDM 系：Intel（Foveros / EMIB）、三星电子（X-Cube / FOPLP）