CoWoS-L（CoWoS Large）
CoWoS 的大尺寸变种，组合 Local Si Interconnect（局部硅桥）+ RDL（再布线），把中介层有效面积从 CoWoS-S 的约 1,000 mm² 扩至 3,000 mm²+（3 倍），承载 Blackwell B200 / GB200 双 die + 多 HBM 架构，是当前最先进的 2.5D 封装节点（据2-05）。
∈ belongs_to::2-05-先进封装
是什么
传统 CoWoS-S 用一整片硅中介层承载所有 die，但 EUV 光刻面积上限（约 800 mm²，1.5× reticle 后约 2,500 mm²）成为瓶颈。CoWoS-L 创新点：
- Local Si Interconnect — 用多块小硅桥（LSI）拼接，每块负责局部高速互联
- RDL 兜底 — LSI 之间用 RDL 再布线层连接低速信号
实现 中介层有效面积扩至 3,000 mm² 以上（据2-05），单封装可塞下 2 颗 GPU die + 8 颗 HBM stack 的"超大芯片"。
关键数据
| 维度 | 数据 |
|---|---|
| 中介层面积 | 3,000 mm²+（CoWoS-S 的 3 倍） |
| 首发应用 | NVIDIA Blackwell B200 / GB200（2024-2025） |
| 单价 | $2,000-2,500/片 |
| 量产时间 | 2024 起，2025-2026 放量 |
| 良率爬坡期毛利率 | 35-40% |
| 成熟期毛利率 | 45-50% |
| 产能（台积电 AP7 厂） | 配合 SoIC 转产、CoWoS-L 专用线 |
数据综合 据2-05。
战略意义
- Blackwell 量产的物理前提 — B200 是 2 颗 GPU die 拼接，缺 CoWoS-L 无法封装
- 台积电 护城河升维 — 工艺壁垒大幅提升，三星 / Intel 短期难以追赶
- ABF 基板配套升级 — 大尺寸封装对基板平整度、层数要求倍增
- 国产替代距离拉大 — 国内最先进 2.5D 方案中介层面积仍受光刻设备限制
与 CoWoS-S / CoWoS-R 的关系
| 节点 | 中介层 | 面积 | 应用 |
|---|---|---|---|
| CoWoS-S | 全硅中介层 | < 2,500 mm² | H100、MI300X |
| CoWoS-R | RDL 中介层 | 中等，成本更低 | 中端 HPC |
| CoWoS-L | LSI + RDL | 3,000+ mm² | Blackwell B200 / GB200 |