拓荆科技
国产 PECVD / ALD / SACVD / HDP-CVD 薄膜沉积设备独家龙头，对标 Applied Materials Producer / Lam Research Vector。2026E 营收 +50%。
一句话定位
中国唯一可与 Applied Materials / Lam Research 在薄膜沉积全制程对标的国产设备商。PECVD 介质沉积主供 中芯国际，ALD 国产化破冰，是 2-10-半导体设备与核心材料 子行业增速最快的标的。
关键数据
| 维度 | 数据 |
|---|---|
| 2024 营收 | ~￥40 亿 |
| 2026E 营收增速 | +50%（据 2-10 报告） |
| 主营 | PECVD 70%+ / ALD / SACVD / HDP-CVD |
| 员工数 | 1500+ |
| 总部 | 沈阳浑南高新区, 中国 |
| 大股东 | 国家大基金 / 中科院沈阳科仪 |
核心产品
- PF-300T PECVD — 12 英寸介质沉积主力机型，14nm 量产
- PK-300 PECVD — 28nm 成熟制程
- PE-ALD / Thermal-ALD — 原子层沉积（先进制程 GAA 必备）
- SACVD — 亚常压 CVD
- HDP-CVD — 高密度等离子 CVD
- Bonding 设备（新增） — 通过子公司布局 hybrid bonding（HBM 关键）
技术亮点 / 护城河
- 薄膜沉积全线：PECVD + ALD + SACVD + HDP-CVD，是国内品类最广的薄膜沉积公司
- 国产突破：PE-ALD 国产化破冰，NVIDIA B 系列 GAA 工艺所需关键设备
- 沈阳科仪体系：源自中科院沈阳科学仪器，30 年薄膜沉积技术积累
- 下游绑定深：中芯国际 / 华虹 / 长江存储 / 长鑫存储 / 华润微 验证全部通过
- Hybrid Bonding：2-05-先进封装 HBM4 关键工艺，拓荆已布局产品
AI 时代角色
- HBM / 2-04-存储体系 200+ 层 3D NAND → 介质 PECVD 沉积步骤数百次/晶圆
- GAA 晶体管（台积电 N2 / Intel 18A）→ 多次选择性 ALD 沉积
- 2-05-先进封装 HBM4 hybrid bonding → 拓荆新业务线启动
- 中国先进制程国产化 → 拓荆是 NVIDIA 国产替代链条的关键设备商
客户与供应链关系
- 核心客户：中芯国际 / 华虹半导体 / 长江存储 / 长鑫存储 / 华润微 / 士兰微 / 积塔半导体
- 供应链：本土零部件供应商（精密机械/真空/RF 电源）
- 资本运作：国家大基金 二期/三期持续加持
与 AI 产业链关系
↑ up::半导体设备零部件 高纯石英 精密机械 湿电子化学品 ↓ down::中芯国际 华虹半导体 长江存储 长鑫存储 2-01-核心逻辑芯片 2-04-存储体系 2-05-先进封装 ⚔ competitor::Applied Materials Lam Research 东京电子 北方华创 ∈ belongs_to::2-10-半导体设备与核心材料
关键事件
- 2010 — 中科院沈阳科学仪器孵化成立
- 2022-04 — 科创板上市
- 2023 — PE-ALD 国产化破冰，进入先进制程供应链
- 2024 — Hybrid Bonding 设备研发布局
- 2026E — 营收同比增速 +50%，国产薄膜沉积主线