FOWLP（Fan-Out Wafer Level Packaging）
扇出型晶圆级封装 — 将 I/O 通过 RDL（再布线层）扇出到芯片外部区域，摆脱传统封装基板，厚度降 40%、成本降 15-20%。是消费级 AP / RF 芯片主流封装，也是 FOPLP / CoWoS 等高端工艺的演化起点（据2-05）。
∈ belongs_to::2-05-先进封装
是什么
传统封装把 die 装入基板后，I/O 数量受基板尺寸约束。FOWLP 在晶圆上直接做 RDL，把信号扇出到 die 外的"扩展区域"：
- 切割后把 die 重新嵌入塑封料（重构晶圆）
- 在重构晶圆上做 RDL 再布线
- 植球、切割成单颗封装
实现"无基板封装"，厚度、成本与尺寸三方面同时优化。
代表方案
| 厂商 | 方案 | 应用 |
|---|---|---|
| 台积电 | InFO（Integrated Fan-Out） | Apple A 系列 AP、TSMC HPC 客户 |
| 日月光投控 | FOCoS / VIPack | 网络、HPC 芯片 |
| 甬矽电子 | 高密度 FOWLP | 国产 AP / RF / AI ASIC |
| Amkor | SWIFT / SLIM | 智能手机 AP、消费 SoC |
与传统 FC-BGA 对比
| 维度 | 传统 FC-BGA | FOWLP |
|---|---|---|
| 基板 | ABF 有机基板 | 无基板（直接 RDL） |
| 厚度 | 较厚 | -40% |
| 成本 | 中高 | -15-20% |
| I/O 密度 | 中 | 高 |
| 良率风险 | 较低 | 中 |
演化路径
FOWLP → FOPLP（面板级）→ CoWoS-R（RDL 中介层）→ CoWoS-S/L（硅中介层）。核心驱动逻辑都是"用 RDL 替代部分基板/中介层功能，换取成本和尺寸优化"。