AI产业链地图·知识库 HBM · 概念
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第二层 · 更新 2026·08·05
概念 技术 / 术语

HBM

High Bandwidth Memory · 高带宽内存 · HBM3 · HBM3E · HBM4

通过 3D 堆叠(TSV 通孔)多层 DRAM 芯片构建的高带宽、高容量内存。和 GPU/AI 芯片封装在一起(用 CoWoS 2.5D 封装),不是 PCB 上分立的内存条

HBM CONCEPT · 概念
首次提出
2013
归属层
第二层 · 芯片系统
关键参与方
SK海力士, Samsung, Micron
反向引用
307 处 · 来自 136

HBM(High Bandwidth Memory,高带宽内存)

AI 芯片核心瓶颈之一。当代标配 HBM3E,单卡可达 192GB / 5.3 TB/s 带宽(AMD MI300X 配置)。大模型参数规模膨胀使"内存墙"成为决定性约束。

为什么关键

  1. 大模型推理是"内存带宽限制",不是"算力限制" — 每生成一个 token 都要把所有参数读一遍
  2. AMD vs NVIDIA 差异化的关键MI300X 192GB vs H100 80GB,在大模型推理场景成本优势明显
  3. HBM 产能短缺 — 与 CoWoS 一起构成 AI 芯片供给瓶颈

主要玩家(全球)

演进路线

代际 带宽 容量 量产
HBM2 ~256 GB/s/stack 16-32 GB 2018
HBM2E ~410 GB/s 32-48 GB 2020
HBM3 ~600 GB/s 64-96 GB 2022
HBM3E ~1 TB/s 96-144 GB 2024(当代标配)
HBM4 ~1.5+ TB/s 192+ GB 2026E

关键来源

增量补充(2026-07-28)

来源:如何看待长鑫上市对存储板块的影响?社媒剪辑/转述

  • AI 驱动下存储行业需求未来数年 CAGR 达 30–40%,五年后 DRAM 市场总需求有望在当前基础上增长约四倍。
  • 国内 DRAM 需求占全球约 30%;若完成全部国产化长鑫存储 收入有数倍成长空间。
正文双链:子行业公司概念