SK海力士（000660.KS）
SK 海力士是全球第二大存储芯片厂商，也是 AI 加速器 HBM 内存的核心供应商，凭借 DRAM、HBM 与先进封装能力卡在 AI 存储环节。 2024 年 DRAM 占收入 68%、NAND 占 29%，2025 年收入 ₩97.1 万亿。2025 年 HBM 市场份额 58.3%，在 AI 内存供给中保持领先。
一、主营业务与产品矩阵
- HBM（AI 内存核心）：以 HBM3E 为当前主力，HBM4E 已于 2026 年 6 月向主要客户送样并交付；2025 年 HBM 市场份额 58.3%，是 AI 加速器内存供给的第一供应商。
- 服务器 DRAM / DDR5：覆盖 DDR5、DDR4 等服务器与 PC 内存，2024 年 DRAM 占收入 68%；2026 年第一季度全球 DRAM 市场份额 29%，仅次于三星电子。
- NAND Flash 与企业级 SSD：NAND 芯片与企业级 SSD 由 Solidigm 等平台承接，2024 年 NAND 占收入 29%，当年 NAND 销售额 $12.4bn；清州 NAND 扩产强化企业级存储供给。
- 客户协同与产能生态：与 NVIDIA 签署多年期技术合作协议，参与下一代内存定义与 AI 基础设施扩展；2026 年 7 月纳斯达克 ADR 募资 $265.07 亿，全部用于内存产能与工艺升级。
二、产业链位置
所属子板块存储体系
上游 · 谁给它供货
存储体系6
DIUnitestEugene TechNeosemTechwingYC
晶圆代工1
高速互联1
其他6
Kulicke and SoffaNamicsHansol Chemical中船特气金宏气体Soulbrain
↓供应
SK海力士
本页 · 产业链位置
↓供货
下游 · 谁在采购
核心逻辑芯片2
模型工厂2
其他AI垂直应用1
存储体系2
Phison戴尔科技集团
三、各家研报目标价一览
早期目标价未反映 2026 年 6 月后 ADR 上市、HBM4E 客户送样与存储涨价带来的快速重定价，时间越早越滞后。
| 出具日期 | 机构 | 目标价 | 评级 / 要点 |
|---|---|---|---|
| 2026-07-22 | 交银国际证券 | ₩3,500,000 | 买入 |
| 2026-07-16 | 伯恩斯坦 | ₩3,300,000 | — |
| 2026-07-12 | 摩根士丹利 | ₩2,600,000 | — |
| 2026-06-25 | 汇丰 | ₩4,000,000 | Buy |
| 2026-06-24 | 野村 | ₩4,700,000 | — |
| 2026-06-09 | 摩根大通 | ₩3,000,000 | Overweight |
| 2026-06-01 | 高盛 | ₩3,500,000 | — |
| 2026-05-09 | 美银 | ₩2,100,000 | 按 8x 2026-27E P/E |
| 2026-04-23 | 瑞银 | ₩1,800,000 | Buy |
| 2026-04-17 | BofA Securities | ₩1,650,000 | 按 7x 2026-27E EPS |
| 2026-02-24 | 花旗 | ₩1,550,000 | — |
四、竞争格局
全球存储市场是典型寡头格局：DRAM 由三星电子、SK 海力士、美光科技三家主导，2026 年第一季度三星份额 38%，SK 海力士 29%，美光 22%。在 AI 相关的 HBM 细分市场，SK 海力士暂时领先，2025 年份额 58.3%，并率先推进 HBM4E 客户送样；三星电子与美光科技正加速认证与扩产，试图把 HBM 供给从单点领先拉回多供应商格局。公司的壁垒在于 HBM TSV/堆叠良率、与加速器客户的联合验证，以及巨额资本开支形成的产能门槛。短板同样清楚：NAND 周期性和价格竞争更强，利基 DRAM 与成熟制程面临长鑫存储、长江存储等中国厂商压力；若 HBM 客户导入第二供应商，份额溢价会被稀释。
五、经营数据
| 指标 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025E | 2026E | 2030E | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HBM 晶圆产能（k wpm） | 35 | 37 | 100 | 153 | 194 | — | 美银 |
| HBM bit 份额（%） | 66 | 57 | 55 | 58 | 48 | 47 | 美银 |
| 营业收入（万亿韩元） | — | — | 66.2 | 97.1 | 375.1 | — | 野村 |
| 每股收益（万韩元） | — | — | 2.88 | 6.24 | 40.81 | — | 野村 |
数据来源：美银 2026-06-26；野村 2026-06-24。列头为公司财年口径。
六、投资视角：多空逻辑
多头（催化）
- HBM 卡位 AI 内存瓶颈 — 2025 年 HBM 市场份额 58.3%，HBM3E 已量产、HBM4E 已向主要客户送样并交付，领先一代产品节奏。
- 常规 DRAM 涨价放大利润弹性 — DRAM 在 2024 年贡献 68% 收入，2026 年第一季度全球 DRAM 份额 29%，供给紧张周期中价格上行直接改善盈利。
- 客户协同从供货升级为联合定义 — 与 NVIDIA 签署多年期技术合作协议，下一代内存开发与 AI 基础设施扩展绑定，降低单纯买卖关系的价格波动风险。
- 资本通道支撑多年扩产 — 2026 年 7 月纳斯达克 ADR 募资 $265.07 亿，资金全部用于内存产能与工艺升级，龙仁、清州与西南部项目形成产能接续。
空头（风险）
- HBM 份额回落风险 — 三星电子与美光科技加速 HBM 认证，美银预计公司 HBM bit 份额从 2025E 58% 降至 2026E 48%（美银，2026-06-26）。
- 存储周期反转 — DRAM/NAND 价格历史上大起大落，若 AI 资本开支放缓或供给集中释放，当前高毛利率难以维持。
- 资本开支强度抬高折旧压力 — 龙仁、清州与西南部项目需要多年巨额投入，新增产能若遇到价格下行，会放大折旧与现金流压力。
- 成熟产品竞争加剧 — 利基 DRAM 和 NAND 面临长鑫存储、长江存储等中国厂商扩产压力，传统消费电子与通用服务器内存价格更易受冲击。
七、近期动态（倒序）
- 2026-07-10 SK 海力士在纳斯达克上市，ADR 募资 $265.07 亿，创外国企业美股 IPO 纪录。
- 2026-06-29 宣布韩国西南部半导体供应项目投资约 ₩400 万亿，SK 海力士负责新建两座存储芯片晶圆厂。
- 2026 年 6 月 龙仁半导体集群建设提前推进，清州 NAND 扩产与韩国西南部集群计划同步披露。
- 2026-06-24 董事会决议发行新股并推进美国 ADR 上市，向美国 SEC 公开提交 F-1 表格。
- 2026-06-18 向主要客户供应 12 层 HBM4E 样品。
- 2026-06-08 与 NVIDIA 签署多年期技术合作协议，共同开发下一代内存并扩展 AI 基础设施。
数据来源
- 汇丰《SK Hynix（000660）Buy： 2Q26 preview – another robust 2Q and ADR premium》2026-06-25
- 野村《Global Memory：Slightly diversified earnings in 2Q26； likely better pricing in 3Q》2026-06-24
- 摩根大通《Asia Pacific Equity Derivatives Strategy：Skew Normalization Reinforces Our Conso》2026-06-09
- 高盛《South Korea Tech： May 2026 export tracker： Record~high DRAM exports with 370% yo》2026-06-01
- 美银《Global Memory Tech Weekly theme-upbeat near-term and long- term earnings outlook》2026-05-09
- 瑞银《Key Call： SK Hynix（000660.KS）Significant inflexion in shareholder returns ahead》2026-04-23
- BofA Securities《Global Memory Tech：HK investor feedback： ten key takeways and discussion points》2026-04-17
- 花旗《SK Hynix （000660.KS） Project 2026E OP of W190tr； Raise TP to W1，550k （vs. W1，400》2026-02-24
- 子行业全景见 存储体系