混合键合（Hybrid Bonding）
先进封装关键工艺 — HBM4 16 层堆叠的必备技术，也是 400 层 NAND 量产的关键。比传统 TSV / 微凸点更高密度、更短互联（据2-04）。
⚔ competitor:: 长江存储 ∈ belongs_to::2-04-存储体系
是什么
混合键合（Hybrid Bonding，HB）是一种把两片晶圆/芯片铜-铜直接键合 + 介质-介质键合同步完成的互联工艺，取消了焊球/微凸点，互联节距进入亚微米级。
在 AI 存储中的两个核心战场
1. HBM4 — 16 层堆叠
传统 HBM 用微凸点 + TSV 堆叠到 12 层后，热阻和良率成为天花板。HBM4 切换至混合键合后：
2. 400 层 NAND 与 Xtacking
- 长江存储 Xtacking 架构用混合键合把 NAND 阵列晶圆与 CMOS 逻辑晶圆连接
- 三星电子 与 长江存储 达成 3D NAND 混合键合专利许可协议（据2-04）
- 通往 **1,000 层 NAND（2030）**的必由之路
相比传统封装的优势
| 维度 | TSV + 微凸点 | 混合键合 |
|---|---|---|
| 互联节距 | ~40 μm | <1 μm |
| 热阻 | 高 | 低 |
| 堆叠层数上限 | 12 | 16+ |
| 工艺难度 | 中 | 高 |