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2-04 存储体系(HBM + DDR5 + NAND)

存储体系 · 内存与存储 · HBM 产业链 · DRAM/NAND

HBM(封装级 TB/s 带宽)+ DDR5(系统级主内存)+ NAND Flash / 企业级 SSD(持久化)+ 存储模组(DIMM/SSD 集成)四层级。全球存储 2024 $1,670 亿 → 2027 $8,427 亿,HBM 2025 $199 亿(CAGR ~40%)

2-04 L2 总览
所属层
第二层 · 芯片系统
子行业编号
2-04
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存储体系(HBM + DDR5 + NAND)

AI 算力的"数据基座" — 没有高效的数据供给,再强大的算力也只能空转。当前正处 AI 驱动的结构性超级周期,最严峻缺货可能出现在 2026 H2-2027 H1

市场规模与增长

维度 数据 来源
全球存储(2024) $1,670 亿(DRAM $973 亿 + NAND $696 亿) 行业
全球存储(2026E) $5,516 亿 行业
全球存储(2027E) $8,427 亿 行业
全球 HBM(2025) $199 亿 Yole
HBM TAM(2028) $1,000 亿(CAGR ~40%) 美光
HBM 渗透率 2023 9% → 2024 18% → 2025 30%+ 行业
DDR5 服务器渗透率 50%+ 2025
DDR5 产能缺口 15% 宏碁 CEO
2026 DRAM 均价 YoY +58% TrendForce
企业级 SSD(2024→2028) 219 EB → 517.6 EB IDC
国产 DRAM 份额 <5% 行业
国产 NAND 份额 <10% 行业

全球竞争格局

HBM(寡头垄断)

厂商 2025 Q3 份额 备注
SK海力士 57% 龙头、HBM3E + HBM4 双代并行
三星电子 22% HBM4 良率 60%,2026 份额预计 30%+
美光科技 21% 三年逆袭,跻身 H200 供应链

DRAM 整体

NAND Flash

厂商 2024 Q4 份额
三星电子 32.5% 第一
SK海力士 / Solidigm NAND 第二梯队
铠侠 第三(2025-12 东京上市)
SanDisk 拆分独立
CR5 90%+

国内 A 股代表

模组(弹性最大)

内存接口 / EEPROM / SPD

利基 / 多产品

核心技术维度

  1. HBM3EHBM4 — 8/12 → 16 层堆叠,混合键合 是关键
  2. 400 层 NAND三星电子 2026 H2 量产,长江存储 Xtacking 架构跟进
  3. QLC SSD — 单盘容量进 100 TB 级
  4. PCIe 5.0 SSD — 2025 出货占比 30%,14 GB/s 顺序读写
  5. TSV 硅通孔 — HBM4 16 层堆叠必须

上下游关系

所属子板块第二层-芯片系统
上游 · 谁给它供货
供应
存储体系
本页 · 产业链位置
供货
下游 · 谁在采购
HBM 直接配 GPU1
DDR5 + SSD 装入服务器1
超大规模 CSP1
存储系统集成1

关键趋势

  1. AI 结构性超级周期 — 不同于以往库存周期,单台 AI 服务器存储成本 $万级
  2. 国产替代窗口历史性开启 — DRAM <5% / NAND <10%,三巨头转高端腾出中端
  3. 产业链利润上移,模组厂弹性最大 — 模组净利可增数倍至十余倍
  4. 资本密度空前长鑫存储 + 长江存储 三年扩产设备投资 $400 亿+
  5. 涨价至少延续至 2026 年底SK海力士 2026 产能售罄

资本运作要点

高确定性 IPO

  • 长鑫存储 科创板 ★★★★★(2025-2026)
  • 长江存储 科创板 ★★★★★(中期)
  • 强一股份 科创板 ★★★★☆(近期,国产探针卡)

主动收购方

被收购标的

关键事件

关键风险

  1. AI 投资回报证伪
  2. 供给过剩(2027-2028 可能下行)
  3. 地缘政治 — 设备出口管制
  4. 模组厂高杠杆财务风险
  5. 估值过高(A 股板块 +3-6 倍)