HBM4（High Bandwidth Memory 4）
HBM 第 4 代，16 层堆叠 + 混合键合，带宽目标突破 2 TB/s，2025-2026 量产，是下一代 AI 芯片决胜的关键存储（据2-04）。
∈ belongs_to::2-04-存储体系
是什么
HBM4 把堆叠层数从 HBM3E 的 8/12 层提升到 16 层，封装环节从 TSV + 微凸点升级为 混合键合，是 NVIDIA Rubin、AMD MI400 系列芯片的核心配套。
关键参数
| 维度 | 数据 |
|---|---|
| 堆叠层数 | 16 层 |
| 关键工艺 | 混合键合 |
| 带宽目标 | >2 TB/s |
| 量产时间 | 2025-2026 |
| HBM TAM 2028 | $1,000 亿（美光） |
数据综合 据2-04。
玩家进展
- SK海力士 — 全球唯一可同时稳定供应 HBM3E + HBM4 的厂商
- 三星电子 — 率先采用 1c DRAM 工艺，HBM4 良率近 60%，2026 份额预计 30%+
- 美光科技 — 2026 实现产能爬坡，加速追赶
关键瓶颈
- 混合键合 良率 — 16 层堆叠对键合精度要求极高
- 1c DRAM 工艺 — 制程演进 + 功耗控制
- 封装产能 — 与先进封装产能竞争