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兆易创新（603986.SH）
国内 NOR Flash 龙头，通过与 长鑫存储 合作切入 DRAM 领域，NAND Flash + DRAM + MCU 三轮布局。2025 全年涨幅 101.25%（据2-04），存储 + MCU 双轮驱动，历史上有通过收购补全产品线的成功经验，被列为 2-04-存储体系 主动收购方 ★★★★☆ 标的。
业务概览
- 核心业务：NOR Flash（国内龙头）+ NAND Flash + DRAM（与 长鑫存储 合作）+ MCU（双主业）
- 跨层卡位：主属 2-04-存储体系，MCU 业务跨入 2-01-核心逻辑芯片 边缘
- 战略路径：从 NOR Flash 单点龙头扩张为存储多品类 + MCU 平台型公司
- 市场地位：NOR Flash 全球前五梯队，国内绝对龙头
关键数据
| 维度 | 数据 | 时间 / 来源 |
|---|---|---|
| 2025 全年股价涨幅 | 101.25% | 据2-04 |
| NOR Flash 国内地位 | 龙头 | — |
| DRAM 路径 | 与 长鑫存储 合作 | — |
| 第二增长曲线 | MCU 双主业 | — |
核心产品
- NOR Flash — 国内龙头，覆盖消费 / 工业 / 汽车
- NAND Flash — SLC NAND 利基市场
- DRAM — 通过与 长鑫存储 合作切入（DDR3 / DDR4 / DDR5 路线推进）
- MCU — GD32 系列，国产 32 位 MCU 第一品牌
上下游关系
↑ up::长鑫存储 — DRAM 合作 / 代工伙伴 ↑ up::台积电 中芯国际 — NOR / MCU 代工 ↓ down::消费电子 / 工业 / 汽车 / IoT ↓ down::AI 服务器 / 数据中心（DDR5 切入路径） ⚔ competitor::Winbond / Macronix — 国际 NOR 巨头 聚辰股份 ⚔ competitor::东芯股份 — SLC NAND 同业 ⚔ competitor::普冉半导体 — NOR 新锐 ⚔ competitor::北京君正 — DRAM 通过收购 ISSI 切入（同类路径） ∈ belongs_to::2-04-存储体系
战略要点
- NOR Flash 龙头是基本盘 — 全球前五梯队，受益 AI 边缘 / 工业控制 / 汽车存储升级（据2-04）
- DRAM 是第二曲线 — 与 长鑫存储 合作切入主流 DRAM，DDR5 渗透红利可享
- MCU 双主业降低周期波动 — 与存储周期不完全同步，平滑财务表现
- 主动收购方 ★★★★☆ — 历史有通过收购补全产品线经验，可向 DRAM / NAND Flash / 利基品类整合（据2-04）
- 潜在整合标的 — 普冉半导体（NOR 同业横向）、东芯股份（NAND + DRAM 全覆盖）等
关键风险
- DRAM 业务依赖 长鑫存储 合作稳定性
- 全球 NOR 价格周期波动
- MCU 国产化竞争加剧
3-05 AI 存储系统视角（2026-02 补充）
从 3-05-AI存储系统 视角，兆易是国内存储平台型公司最具收购执行力的玩家：
- NOR Flash 全球第二、中国第一 — 全球份额 18.5%，全球前三梯队（华邦 / 旺宏 / 兆易）（据3-05）
- 2026-01 H 股上市 — A+H 双平台募 46.11 亿港元，明确披露 35% 用于战略收购（2026-01-兆易创新H股上市）
- 2025 涨幅 101.25% — 与 NOR 涨价 + DRAM 切入预期共振
- DRAM 路径 — 与 长鑫存储 合作切入主流 DRAM，DDR5 渗透红利可享
- MCU 第二曲线 — GD32 系列，国产 32 位 MCU 第一品牌，与存储周期不完全同步
- 与 燧原科技 合资 光羽芯辰 — 端侧 AI 芯片布局，跨向第五层应用
- 主动收购方 ★★★★★ — H 股融资 + 35% 收购预算 + 平台型公司基础，是国内存储产业链最具收购执行力的玩家，潜在标的：普冉半导体 / 东芯股份 / 英韧科技 主控等（据3-05）
↑ up::2-04-存储体系 长鑫存储 台积电 中芯国际 ↓ down::3-01-云计算与智算平台 AI 边缘 / 工业 / 汽车 ∈ belongs_to::3-05-AI存储系统
关键事件（追加）
- 2026-01-兆易创新H股上市 — H 股募 46.11 亿港元，35% 用于收购
- 光羽芯辰 合资 — 与 燧原科技 合资端侧 AI 芯片
关键来源
- 2-04-存储体系 — 子行业深度报告
- 3-05-AI存储系统 — AI 存储模组 / SSD / 互连深度报告