HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）
HBM 第 3E 代，8/12 层堆叠，带宽 1.2 TB/s，是 2024-2025 AI 训练芯片标配（据2-04）。
∈ belongs_to::2-04-存储体系
是什么
HBM3E 在 HBM3 基础上提速，3D 堆叠 8 层或 12 层 DRAM die，通过 TSV 通孔互联，封装级带宽冲到 1.2 TB/s。是 NVIDIA H200 / B200、AMD MI300X 系列 AI 芯片的核心配套。
关键参数
| 维度 | 数据 |
|---|---|
| 堆叠层数 | 8 / 12 层 |
| 带宽 | 1.2 TB/s |
| 量产年 | 2024 |
| HBM 2025 市场 | $199 亿（Yole） |
| HBM3E 卡位 | 当前 AI 训练标配 |
数据综合 据2-04。
玩家格局（HBM 2025 Q3 份额）
| 厂商 | 份额 | 备注 |
|---|---|---|
| SK海力士 | 57% | 龙头，HBM3E 主导供应 |
| 三星电子 | 22% | 加速追赶 |
| 美光科技 | 21% | 跻身 NVIDIA H200 供应链 |