中微公司
中国刻蚀龙头，全球首家进入 台积电 5nm 量产线的国产设备公司。2026-01 收购 杭州众硅 64.69% 切入 CMP，由刻蚀单点向多品类拓展。
一句话定位
CCP 介质刻蚀 + ICP 导体刻蚀双线齐发，入 台积电 5nm/3nm 量产线（国产唯一），是 Lam Research 在中国市场最直接的国产替代对手。市值 PE 100+，估值常居 A 股设备最高。
关键数据
| 维度 | 数据 |
|---|---|
| 2024 营收 | ~￥90 亿 |
| 全球刻蚀份额（估） | 3-5% |
| 入台积电制程 | 5nm/3nm 量产（据 2-10 报告） |
| 员工数 | 2000+ |
| 总部 | 上海浦东张江, 中国 |
| 创始人 | 尹志尧（前 Lam Research / Applied Materials 副总裁） |
核心产品
- Primo D-RIE / Primo nanova — CCP 介质刻蚀，5nm 入台积电
- Primo Twin-Star — ICP 导体刻蚀
- Primo SSC — 高深宽比刻蚀，3D NAND 200+ 层
- MOCVD（LED 装机量全球第一） — 已剥离至 LED 业务子公司
- EPI 外延 — 通过子公司中微汇链布局
- CMP（新增） — 通过收购 杭州众硅 64.69% 切入
技术亮点 / 护城河
- 5nm 突破：全球仅 4 家供应商（Lam Research / Applied Materials / 东京电子 / 中微）可入 5nm 量产
- 创始人背景：尹志尧 60 余位资深华人工程师团队，技术来自硅谷正统
- 专利布局：3000+ 项核心专利，与 Applied Materials/Lam 多次诉讼后达成和解
- 快速迭代：CCP/ICP 双轨并行，3D NAND 高深宽比刻蚀全球前列
AI 时代角色
- HBM / 2-04-存储体系 国产化 → 长鑫存储 / 长江存储 高深宽比刻蚀全部采用中微
- 2-05-先进封装 CoWoS/HBM TSV 刻蚀新蓝海 → 中微 TSV 刻蚀机已交付国内封测厂
- AI GPU 国产化（华为昇腾 / 寒武纪 / 海光信息）→ 推动中芯国际先进制程刻蚀需求
- 通过 CMP 并购走向"平台化"（追赶 北方华创 模式）
客户与供应链关系
- 核心客户：台积电 中芯国际 华虹半导体 长江存储 长鑫存储 海力士 三星电子 联电
- 重要并购：2026-01 收购 杭州众硅 64.69%（切入 CMP）
- 同业合作：与 上海微电子 / 北方华创 / 拓荆科技 在同一晶圆厂工艺线协同
与 AI 产业链关系
↑ up::半导体设备零部件 高纯石英 精密机械 ↓ down::台积电 中芯国际 长江存储 长鑫存储 2-01-核心逻辑芯片 2-04-存储体系 2-05-先进封装 ⚔ competitor::Lam Research Applied Materials 东京电子 北方华创 华海清科 屹唐半导体 ∈ belongs_to::2-10-半导体设备与核心材料
关键事件
- 2004 — 尹志尧创立中微半导体
- 2007 — 起诉 Applied Materials 专利侵权获胜，后和解
- 2019-07 — 科创板首批上市
- 2022-10 — 美 BIS 实体清单（未直接列入），加速国产替代
- 2024-11 — 进入 台积电 5nm 制程刻蚀供应链
- 2026-01 — 收购 杭州众硅 64.69% 股权，进军 CMP 设备