EUV光刻（极紫外光刻）

是什么

• 极紫外（Extreme Ultraviolet, EUV）光刻：使用 13.5nm 波长的极紫外光在晶圆上曝光图案
• 是半导体制造最关键也最贵的设备，单台机器超过 10 万个零部件、重 180 吨
• 光源原理：CO2 激光高频轰击高速液态锡液滴产生 EUV 等离子体（业内称 "fire 50,000 tin droplets per second"）
• 真空腔 + 全反射式光路（EUV 在空气中会被吸收）

在 AI 产业链中的角色

1. 7nm 以下先进制程的唯一选择：7nm 部分层、5nm 全面、3nm/2nm 大规模使用
2. AI 芯片制造的咽喉：NVIDIA Blackwell / AMD MI300 / Google TPU 等均依赖 EUV
3. 地缘政治焦点：美国 EAR + 荷兰许可证制度，对华全面禁运 EUV
4. CapEx 占比惊人：3nm 晶圆厂 EUV 设备投入占总 CapEx 25%+

主要玩家

• 设备：ASML（全球独家，2023 营收 $298.3 亿 超越 Applied Materials 成全球第一）
• 客户：台积电（最大客户，占 ASML 营收 40%+）/ 三星电子 / Intel / SK海力士 / Micron
• 核心子供应商：
  • 光源 — Cymer（被 ASML 收购）
  • 光学系统 — 蔡司 Zeiss
  • 光刻胶 — JSR / 信越化学 / TOK
  • 掩模 — Photronics / 凸版印刷

演进路线

关键技术挑战

1. 光源功率：从早期 80W → 250W → 500W（产能从 30 片/h → 200 片/h+）
2. 光刻胶：EUV光刻胶 灵敏度 / 分辨率 / LWR（线宽粗糙度）三难
3. 掩模缺陷：EUV 掩模无 pellicle 保护时易污染
4. Stochastic 缺陷：13.5nm 光子能量大、数量少，随机性图案缺陷
5. 拥有成本（CoO）：单台 $1.5 亿 + 维护 + 备件，仅头部 3 家晶圆厂用得起

中国现状

• 全面禁运：荷兰 2024 起对中国停止出口所有 EUV
• 国产 EUV 路线图：上海微电子 SMEE 仍在 28nm DUV 节点，EUV 处于早期攻关阶段
• 替代路径：DUV光刻 多重曝光（SAQP）勉强支撑 7nm（中芯 N+2 工艺）

相关概念

• High-NA EUV — 下一代，NA 0.55，支撑 1nm 以下
• DUV光刻 — 上一代，193nm，仍是 28nm-7nm 主力
• ArF光刻胶 / EUV光刻胶 — 配套材料
• CMP / ALE / ALD — 先进制程协同工艺

关键来源

• 半导体设备与核心材料

增量补充（2026-07-19）

来源：阿斯麦公司 (ASML.US) 2026年第二季度业绩电话会（社媒剪辑／转述 · 电话会纪要转述）

• 2026 出货与产能：ASML 指引 2026 出货约 65 台低 NA EUV，EUV 净系统销售同比 +45% 以上；2027 低 NA EUV 订单接近满产、产能计划 +30%（约 85 台），2028 正研究再 +30%（约 110 台），全部在现有厂房空间内优化实现。
• 机型换代放大有效产能：3600D 2026 年基本出完，2027 起以 3800E/3800S 为主，因生产率更高，实际晶圆产能增幅约 45%，高于 30% 的台数增幅。
• DRAM 成为 EUV 新增长极：低 NA EUV 的增长由"更具成本效益的单次曝光 EUV 替代多重图案化"驱动；HBM 与 DDR 需求带来的晶圆量增加，叠加 1b/1c 等先进节点 EUV 层数增多，共同推高 DRAM 侧 EUV 与浸没式 DUV光刻 需求（2026 存储相关净系统销售指引 +75% 以上）。
• 升级业务：ASML 的升级方案已覆盖全部版本低 NA EUV 与浸没式系统，客户在现有 fab 空间受限下通过升级快速提产，2027/2028 还将推出新升级产品。