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安集科技

国产 CMP 抛光液龙头，2004 年由王淑敏（美籍归国科学家）创立。全球 CMP slurry 份额从 2018 年 3% 提升到 2024 年 7%，是中国半导体材料"国产替代+全球突围"双重叙事最经典案例。打破 Cabot Microelectronics / Fujimi / Hitachi Chemical / Versum 垄断。

一句话定位

A 股 688019.SH，科创板第一股之一（2019-07 上市）。CMP slurry 全产品矩阵（铜 / 钨 / 介电 / 钽阻挡层 / 钴），入 中芯国际 / 长江存储 / 长鑫存储 / 台积电（部分品类）/ 海力士，14-28nm 节点国产替代主力，5nm/3nm 在验证。还做湿电子化学品（功能性化学品）。

关键数据

数据来源：2-10 半导体设备与核心材料深度

核心产品

1. CMP 抛光液（slurry） ★★★★★（核心）：
   • 铜 + 阻挡层 slurry（Cu / Ta / TaN）— 互联制程
   • 钨 slurry（W）— 接触层
   • 介电层 slurry（SiO₂ / Low-k）
   • 钴 slurry — 先进节点 7nm 以下接触层（攻关中）
   • STI slurry — 浅沟槽隔离
2. 湿电子化学品：刻蚀液 / 清洗液 / 光刻胶剥离液
3. 电镀液 / 高纯化学品

技术亮点

• 纳米颗粒 SiO₂ / CeO₂ 粒径与表面化学 — 30-150nm 粒径精控
• 铜-钽一体 slurry — 后段互联工艺核心
• 14nm 国产替代全突破 — 中芯国际 14nm 量产用安集 slurry
• 配套后 CMP 清洗液 PCMP cleaner — 整套件销售
• 王淑敏团队 — 美国 SVTC 海归班底 + 长期 R&D 投入

AI 时代角色

• AI 算力 → 先进制程 CMP step 从 28nm 的 10 次涨到 3nm 的 20+ 次，slurry 用量翻倍
• HBM 工艺 — TSV / 微凸点 CMP 需要金属 slurry，安集已切入 长江存储 3D NAND 多层堆叠
• 国产替代政策 → 中芯国际 / 长江存储 / 长鑫存储 优先采购国产 slurry，国内份额持续上升
• 与 鼎龙股份 在中国 CMP 材料市场形成"slurry + pad"国产组合

典型客户

↓ down::中芯国际 长江存储 长鑫存储 华虹半导体 台积电 SK海力士 士兰微 华润微

与 AI 产业链关系

↑ up::（原料 — 纳米颗粒 SiO₂ / CeO₂ / Al₂O₃，多来自 Fujimi 海外采购或国产化） ⚔ competitor::Cabot Microelectronics（CR1）Fujimi Versum/Merck Hitachi Chemical 3M 鼎龙股份 ∈ belongs_to::2-10-半导体设备与核心材料 ∈ belongs_to::第二层-芯片系统

下游主战场：2-01-核心逻辑芯片 / 2-04-存储体系 / 2-05-先进封装

关键事件

• 2004 — 王淑敏在上海张江创立
• 2008 — Cu/Ta slurry 进入 中芯国际 65nm 量产
• 2014 — 进入 长江存储 验证
• 2019-07 — 科创板首批 25 家 IPO 之一（688019.SH）
• 2022 — CMP slurry 全球份额突破 5%
• 2024 — 全球份额 7%，14nm 主力供应，5nm/3nm 验证启动
• 2025 — 钴 slurry 攻关，对标 Cabot Microelectronics 先进节点

风险点

1. PE 估值高（长期 60-80）
2. 高端节点 5nm / 3nm 验证周期长
3. 原料纳米颗粒部分依赖 Fujimi 进口
4. 美对华禁运扩大可能延伸到化学品
5. 与 鼎龙股份 在国内 slurry+pad 整合可能爆发竞争