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更新 2026·06·17
概念 技术 / 术语

eFuse

Electronic Fuse · 电子保险丝 · Hot Swap Controller · 智能保险丝

2. 可编程 — 过流阈值、延时、关断速度均可由控制器/PMBus 设置 3. 快速响应 — μs 级,远快于物理保险丝的 ms 级 4. 遥测 — 实时上报电流、电压、温度 5. 平台化 — 一颗 eFuse 同时实现:过流(OCP)、过压(OVP)、欠压(UVP)、热插拔(Hot Swap)、浪涌限流(Inrush)

eFuse CONCEPT · 概念
首次提出
2005
关键参与方
[[Texas Instruments]] · [[Infineon]] · [[Analog Devices]] · [[ON Semiconductor]]
反向引用
7 处 · 来自 6
归属 供电网络eFuse保护MOSFETPMBus第二层

eFuse(Electronic Fuse,电子保险丝)

AI 服务器配电的**"智能断路器"**。传统熔断保险丝的电子化升级 — 内置 MOSFET + 控制器 + 检流电阻,能在 μs 级精准切断过流,并通过 PMBus 自动恢复、上报状态。是 AI 机架(GB200 NVL72)数百路供电的"末端开关"。

定义

eFuse指用半导体器件(通常是大功率 N 沟道 MOSFET + 控制 IC)替代物理熔断保险丝的电子保护元件。核心特性:

  1. 可重置 — 故障消除后通过指令重新导通,不需更换零件
  2. 可编程 — 过流阈值、延时、关断速度均可由控制器/PMBus 设置
  3. 快速响应 — μs 级,远快于物理保险丝的 ms 级
  4. 遥测 — 实时上报电流、电压、温度
  5. 平台化 — 一颗 eFuse 同时实现:过流(OCP)、过压(OVP)、欠压(UVP)、热插拔(Hot Swap)、浪涌限流(Inrush)

工作原理

输入 → 检流电阻 → 主 MOSFET → 输出
         ↓             ↑
       控制 IC(含放大、定时、PMBus)
  • 正常:MOSFET 全导通,压降 ~10-50 mV
  • 过流:控制 IC 检测到电流超阈,先进入限流(恒流)状态
  • 持续过流:超过编程的 t_blanking 时间,MOSFET 完全关断
  • 热插拔:MOSFET 在 ms 级缓慢开通,限制浪涌

关键参数

参数 典型值
输入电压 5V / 12V / 24V / 48V / 60V
持续电流 1A - 100A+
过流响应时间 1-10 μs
导通电阻 0.5-5 mΩ
数字接口 PMBus / I2C

在 AI 产业链中的角色

AI 机架(GB200 NVL72 / GB300 NVL72)有几十路 48V 母线分支,每路均需 eFuse:

  • 单 Compute Tray 入路 eFuse(保护下游 GPU 板)
  • 每张 GPU 板入路 eFuse(保护 VRM)
  • 关键负载(HBM、NVLink Switch)独立 eFuse

800V直流供电 时代,eFuse 演化为"固态断路器(SSCB)" — 600V/800V 级别的高压 eFuse 成为 AI 工厂的核心保护元件。

玩家格局

国际

  • Texas Instruments — TPS25x / TPS26x 系列,主流 eFuse
  • Infineon — IFX9x 系列,48V eFuse 强势
  • Analog Devices / Maxim — Hot Swap 控制器传统强者
  • ON Semiconductor — NIS / NCP 系列
  • STMicroelectronics — STEF 系列
  • MPS — 多相 + eFuse 一体方案

国产

演进

  1. 从分立 MOSFET + 控制器 → 单芯片集成
  2. 从 12V → 48V → 高压 eFuse(200V/600V)
  3. 从模拟阈值 → 全数字 + PMBus 可编程
  4. 从单一保护 → 平台化(OCP+OVP+热插拔+遥测)
  5. 从 Si MOSFET → GaN功率器件 eFuse(高频、低损耗)

关联

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