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更新 2026·06·17
概念 技术 / 术语

LRDIMM

Load-Reduced DIMM · 低负载内存模组

LRDIMM CONCEPT · 概念
首次提出
2011
关键参与方
三星电子, SK海力士, 美光科技, 澜起科技, 江波龙
反向引用
6 处 · 来自 4
归属 DRAM存储模组高容量服务器内存第三层

LRDIMM(Load-Reduced DIMM)

RDIMM 基础上额外加入 DB(Data Buffer,数据缓冲芯片),每条 64 bit 数据线都有缓冲 — 进一步降低 CPU 总线负载,支持更高容量、更高速的内存配置(据3-05)。

是什么

  • LRDIMM = RDIMM + 数据线 DB(Data Buffer)
  • 通过 DB 隔离 DRAM 与 CPU 总线,把多颗 DRAM "看起来像一颗"
  • 优点:单条容量更大(128-512 GB+),同一 CPU 通道支持更多 DIMM
  • 缺点:额外 DB 芯片增加成本与延迟(vs RDIMM)
  • DDR5 时代 1 条 LRDIMM 配 1 颗 DDR5 RCD + 10 颗 DB

主要应用

  • 高内存容量 AI 服务器:单机 4-8 TB DRAM 场景
  • 内存数据库:SAP HANA、Oracle TimesTen
  • CXL 内存扩展之前:传统超大内存方案

产业链

关键趋势

  • CXL 2.0 / CXL 3.0 部分替代:CXL 内存扩展提供更灵活的容量扩张方案
  • MRDIMM 出现:DDR5 RDIMM 带宽翻倍版本,部分蚕食 LRDIMM 高带宽场景

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