… > 28nm-7nm 主力工艺。193nm ArF 浸没式光刻是先进制程的主力(EUV光刻 之前的全部节点 + 中国当前最先进节点)。ASML /尼康/ 佳能 三强格局,对华相对开放。中国 上海微电子 SSA/800 达到 28nm 节点(据2-10(../来源摘要/2-10-半导体设备与核心材料.md.md))。 …
… EUV 禁运下的唯一选择:对华 EUV 禁运,DUV 浸没式仍可向中国出口(但 1980Di 起部分管控) 主要玩家 - 设备三强: - ASML — DUV 全球份额 85%+(含浸没式)尼康主要做 ArF 干式 + KrF - 佳能 — KrF + i-line 主力
- 中国设备:上海微电子 SMEE — SSA/800 达 28nm(ArF 干式起步,浸没式攻关中) …
… 中国设备:上海微电子 SMEE — SSA/800 达 28nm(ArF 干式起步,浸没式攻关中)
- 关键子部件: - 光源 — Cymer / Gigaphoton(小松 /尼康合资) - 光刻胶 — JSR / TOK / 信越化学 / 南大光电 / 彤程新材 - 掩模 — Photronics / 凸版印刷 / 路维光电 …
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