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中国存储 · 野村 长鑫存储(688825.SS)首次覆盖

王冠上的那颗 DRAM:
长鑫存储上市当天,野村首次覆盖就给了买入

7 月 27 日,长鑫存储(CXMT,688825.SS)以每股 8.66 元登陆科创板,募资 579 亿元(行使超额配售选择权后最多 666 亿元)。同一天,野村(Nomura)发出首次覆盖报告,给「买入」、目标价 116 元。这个数字之所以刺眼,是因为按发行价算,它隐含 +1,239.5% 的空间。但报告真正的重量不在那个百分号上,而在它前面二十页的推演:智能体 AI 把内存需求变成了一道乘法题,而扩产是一道加法题。野村的判断是——这道差在 2030 年前补不上;补不上的那几年,全球 DRAM 的份额表会被重排一次。
作者 Donnie Teng · Frank Fan · CW Chung(野村 亚洲科技 / 半导体团队,NIHK) 日期 2026 年 7 月 27 日 来源 Nomura 野村国际(香港)· Global Markets Research(机构研报)
CNY 116
目标价 · 20× 2028F EPS 5.79 元
发行价 CNY 8.66 · 报告口径隐含 +1,239.5%(对标的是发行价,不是上市后市价)
60%+
全球内存需求 bit 复合增速(2026–30F)
同期行业供给扩张仅 30–40% · 长鑫自身 40–45%
10% → 18%
长鑫 DRAM bit 产量全球份额(当前 → 2028F 末)
对照:美光当前 20%+ · 野村称「份额会逐渐逼近美光」
280 → 550
产能 kwpm(2025 年末 → 2028F 年末)
每扩 1kwpm 约需 US$1 亿 · 另在上海建 50kwpm HBM 封装

这是一份典型的首次覆盖(initiation)——31 页,把行业推演、公司拆解、产能模型、供应链清单、估值与风险一次铺完。但它的结构有个不太常见的地方:整整前十页不讲长鑫,讲的是全球内存的供需缺口。等到第 12 页才第一次正经提到这家公司。这个顺序本身就是论点:野村不是把长鑫当成一个「国产替代」故事来卖,而是先证明「谁扩产谁就赢」,再论证长鑫是那个扩得最快的。

本文按这个顺序拆:先是需求端的乘法题,再是供给端的加法题,然后才是长鑫这家公司——它的家底、技术、产能、估值、以及那条最该被认真对待的风险线。文末专门留一节讲该冷静的地方,因为这份报告里有几个数字,很容易被读成它并不成立的意思。

01

一道乘法题:智能体把内存需求推成了指数

并发任务数 2030F 比 2026F 增 50 倍 ÷ 效率技术打掉的 3–4 倍 = 内存用量仍涨 10 倍以上

报告开篇给了一个物理事实:在 AI 与高性能计算里,内存才是主要的性能瓶颈——处理器的进步速度快过内存,I/O 受限、信号完整性下降,处理器越来越多的时间是在等数据。行业为绕开这道墙搞出的一整套办法,本质上都是在给内存想辙:HBM 把 DRAM 裸片直接垂直堆到封装里、片上缓存把热数据搬到最近处、存内计算干脆把算力挪到存储旁边、CXL 让处理器池化共享内存、光互连绕开铜的物理极限,再加上模型压缩把模型直接塞进片上缓存。

真正让需求变成指数的是推理取代训练成为主要负载之后的事。野村把一次智能体任务拆成八个阶段,逐段标出它吃的是哪一层内存——这张拆解是全篇的推演底座:

Stage 1

用户请求抵达 · 瓶颈在 CPU

提示词被分词、批处理、排队;编排器解析请求并准备执行计划。这一阶段几乎不碰 GPU 内存。

Stage 2

模型权重加载 · 瓶颈在 I/O

权重从 NVMe SSD 读出装进加速器内存,大模型靠张量/流水线并行分摊到多颗 GPU。野村给的量级:4.5 万亿参数的模型里约 0.51 万亿是活跃 MoE 专家权重(FP16 约 1TB)驻留 HBM,非活跃专家退到 HBF 或 DDR5,完整检查点落 SSD。

Stage 3

预填充 / 提示词处理 · 瓶颈在内存与算力

全部输入 token 并行过一遍 Transformer,注意力矩阵算完、KV 缓存初始化。报告给的经验值:每个 token 的 K、V 张量约 300KB(跨模型规模加权平均)。

Stage 4

推理与规划 · KV 缓存开始滚雪球

模型生成思维链、决定调哪些工具。每多一个 token,KV 缓存就长一截,内存压力随序列长度增长。溢出路径:HBM → HBF(温,1.6TB/s)→ DDR5(6–12 小时复用)→ SSD(24 小时冷存)。

Stage 5

工具执行 · 回到 CPU 侧

调用网页搜索、代码沙箱、文件 I/O、API。这一阶段主要跑在 CPU 上,几乎不碰 GPU 内存——但每次工具调用会唤起 20–50 台后端通用服务器(搜索、数据库、RAG)。

Stage 6

上下文整合 · 最吃内存的环节之一

工具返回的结果被分词、追加进对话,模型重新处理被撑大的上下文窗口。KV 缓存显著变大

Stage 7

多步迭代 · 内存压力的峰值

智能体循环把 4→6 阶段重复 N 遍,上下文一轮比一轮长。峰值出现在这里,可能顶到 HBM 的容量上限。野村测算:单次任务峰值内存约 1.5–5.3TB(未压缩)。

Stage 8

响应生成 · 收尾

最后的自回归解码产出输出 token,反分词、格式化,经 API 网关流式返回。完整 KV 缓存被读出,开始进入分层迁移的生命周期。

据 Nomura《ChangXin Memory Technologies — The DRAM in the Chinese crown; initiate at Buy》(2026-07-27) 第 5–7 页正文与 Fig. 4、Fig. 6(Nomura research)归纳 · 仅供学习研究。

拆完八阶段,报告顺势给了一张AI 内存分层表——这是理解「为什么 DRAM 是那个卡口」最快的一张图。每一层都在速度和容量之间做交易,而中间那两档(HBM 与主机 DDR)恰恰都是 DRAM:

层级容量带宽延迟角色
寄存器 / 缓存(SRAM)~MB 级~30+ TB/s< 1 nsGPU 流处理器内部的片上寄存器与暂存,计算单元间共享
HBM(DRAM)24–192 GB~3.3 TB/s~100 ns堆叠 DRAM,装权重、激活值、KV 缓存
HBF(NAND 闪存)最高 512 GB~1.6 TB/s~微秒高带宽闪存,容量是 HBM 的 8–16 倍 尚未量产
主机 DDR(DRAM)256 GB – 2 TB~100 GB/s~80 ns系统主内存,暂存数据与工具运行时
NVMe SSD(NAND)TB – PB~7–14 GB/s~微秒–毫秒检查点、数据集、任务产物的持久存储
网络聚合带宽400–3,200 Gb/s~微秒节点间互连(NVLink、InfiniBand 等),支撑分布式推理
据同报告 Fig. 5「AI memory hierarchy」(Nomura research)· 仅供学习研究。注意 HBF 一行:报告明确标注尚未具备量产条件,它在模型里是「未来可能的缓解手段」而非现实供给。

接下来是这篇报告最讲究的一段——它没有把需求算得很爽,而是先给自己打了折。野村列出六项已在生产环境里跑的内存效率技术,逐项标出压缩倍数,并且诚实地指出它们是乘法叠加的

效率技术压缩倍数作用对象说明
FP8 / INT4 KV 量化2–4×KV 位宽把缓存内存减半,精度影响很小;vLLM 原生支持
GQA 分组查询注意力KV 头数Llama 3:64 个查询头共用 8 个 KV 头,接近无质量损失
PagedAttention2–4×消除显存碎片把分配浪费从 60–80% 压到 <4%;vLLM / SGLang / TensorRT-LLM 的默认项
提示词 / 前缀缓存2–10×重复前缀复用共享提示的 KV 状态。Anthropic 口径成本降 90%,31% 的查询存在相似性
MLA 多头潜在注意力~15×KV 表示DeepSeek 方案:把 K/V 投影进学到的低维潜空间
TurboQuant5–6×KV 位宽(3 bit)Google 方案(PolarQuant + QJL),10.4 万 token 下 NIAH 召回 100%
据同报告 Fig. 7「Major memory efficiency technologies」(Company data, Nomura research)· 仅供学习研究。报告特别提示:这些技术乘法叠加理论上可达 4–40×,但实际节省不太可能超过 5×——因为权重量化(把 FP32/FP16 转成 INT8/INT4)是最大的单一因素,KV 压缩在它之上的增量更小。

把折扣打进去之后,野村逐阶段重算了一遍。以内存压力最大的第 7 阶段(多步迭代)为例:基线峰值 1.5–5.3TB,全部效率技术叠加之后降到 0.5–1.3TB,净压缩约 3–4 倍。全流程合计也是这个量级。这就是这篇报告给自己打的折——四分之一左右。

然后是乘法那一边。野村估计 2030 年的年度并发智能体任务数将是 2026 年的约 50 倍;即便每个任务的内存占用被效率技术压到只剩五分之一,两者相乘,智能体任务的内存用量仍要涨 10 倍以上。落到行业口径:即使非 AI 应用完全不增长,光 AI 一项就能把 2026–30 年的内存需求推到 60% 以上的复合增速(累计 7 倍以上)。

这一节最该记住的一句话

报告的原话是:内存需求实际上是这些变量的乘积函数(用户数 × 采用率 × 任务复杂度 × 推理 token 消耗 × 任务时长 …)。效率技术是除法,而且是有上限的除法(实际不超过 5 倍);用量增长是乘法,而且每一项都还在涨。这就是为什么野村敢把「内存缺口」当成一个可以下注五年的结构,而不是一个季度的景气。它也顺手给了一个更极端的假设:Cloudflare 首席执行官已经说过「机器人流量首次超过人类」——如果 AI 智能体开始自己给自己派活,需求的上限就不再由人的使用时间决定,而只由授权、基础设施和资本开支决定。

02

一道加法题:扩产卡在洁净室、设备、材料和人

需求 60%+ 对供给 30–40% · 野村模型里 DRAM 库存周数从 2027 年起转负

供给这一侧,报告写得很短,但落点很硬:产能扩张面临的最大瓶颈不是钱,是洁净室、设备、材料,以及最要紧的——人。存储厂正在以 30–40% 的 bit 复合增速扩产,这个速度仍然不够。软件与架构层面的优化(也就是上一节那六项技术)只能放慢差距扩大的速度,而不能逆转它。因此每一条路都得同时上:NAND 卸载(容量高 100 倍但慢得多)、超高带宽闪存 HBF……但这又会让 NAND 更紧,并不能有效缓解已经很紧的 DRAM

需求侧:乘法

2026–30F 内存需求 bit CAGR60%+
累计倍数(仅 AI 驱动)>7×
并发智能体任务数 2030F / 2026F~50×
效率技术实际压缩上限≤5×
单次任务峰值内存(压缩后)0.5–1.3 TB
VS

供给侧:加法

2026–30F 行业供给 bit CAGR30–40%
长鑫自身 bit CAGR40–45%
长鑫晶圆出货 CAGR20–25%
扩 1kwpm 所需资本开支~US$100mn
瓶颈洁净室 / 设备 / 材料 / 人
据同报告第 8、13 页正文与 Fig. 19(Nomura estimates)归纳 · 左右两栏为本文按报告口径的并列整理 · 仅供学习研究。

那市场担心的「疯狂扩产 → 价格崩塌」呢?野村用一个指标正面回答了:资本密集度(资本开支 ÷ 销售额)。过去 15 年,DRAM 厂商的这个比率大多稳定在 25–45% 区间。而由于 2025 年 9 月以来 AI 驱动的内存需求太猛、收入分母被撑大,2026 年的资本密集度可能骤降到只有 15%

这句话的含义要反过来读:不是厂商不敢花钱,而是市场大到花不完。换言之,这个市场还能吸收远高于当前水平的资本开支——包括长鑫这样的国内厂商在内。这正是野村敢在周期高位给一家存储厂首次覆盖买入的底层理由。

不过报告也没有一路乐观到底。它明确写道:内存价格自 2025 年 9 月以来涨得太多,存储厂与客户会逐渐理解「价格稳下来更健康」;事实上长期供应协议(LTA)已经在签。因此从 2028 年起,存储公司的重心会从「推价格」转向「合理扩产 + 稳步改善盈利」,并且会主动去满足多元客户需求、而不只服务 AI。这一转向直接体现在下面这张供需表的价格行上——野村自己的模型里,DRAM 价格在 2027 年见顶,此后逐年小幅回落。

全球 DRAM(含 HBM)20252026F2027F2028F2030F
行业收入(US$ 百万)168,738747,4211,260,9461,496,7462,059,762
收入同比+63%+343%+69%+19%+17%
价格(US$/GB)4.013.718.617.916.3
价格同比+26%+245%+36%−4%−5%
库存周数6.93.6−1.0−5.8−4.7
产出(百万 GB)41,09852,90162,75675,478128,385
其中 HBM 收入(US$ 百万)33,38652,605169,845260,165488,577
HBM 占晶圆产能比重15.7%18.2%24.2%29.4%36.3%
据同报告 Fig. 23「DRAM supply demand outlook」(Company data, Nomura estimates)· 取「Total DRAM」与 HBM 分表的关键行 · 仅供学习研究,为野村的预测而非事实。库存周数转负不是会真的出现负库存,而是模型里供给低于需求、缺口无法用库存填平的表达方式——它是这份报告全部乐观的算术源头,也是最该被质疑的一行。
03

长鑫是谁:从合肥睿力到全球第四,用了十年

2016 年成立 · 2022–24 三年累亏近 270 亿 · 2025 转正 · 1Q26 单季营收 508 亿

2016 · 5 月

合肥睿力集成电路成立

由朱一明创办,背后是合肥市政府的国有资本。后更名 Innotron Memory,2019 年定名长鑫存储技术(集团主体:长鑫科技集团股份有限公司)。

起步

20kwpm · 19nm · 8GB LPDDR4 / DDR4

从一条 2 万片月产能的线起步,做的是当时最普通的通用 DRAM。

2022–2024

三年累亏:83.2 亿 → 163 亿 → 71 亿元

扩产期的典型形态——折旧与研发先行,价格在周期底部。同期稼动率从 85% 稳步爬到 95%。

2025

转正:营收 618 亿元,归母净利 18.8 亿元

DRAM 价格从 2025 年 9 月起因 AI 需求大涨,公司当年扭亏。全年毛利率 41.0%。

2026 · 1Q

单季营收 508 亿元(同比 +719%),净利 248 亿元

一个季度的营收接近上一整年的 82%。公司指引 1H26 营收 1,100–1,200 亿元、净利 500–570 亿元

2026 · 7/27

科创板上市:发行价 8.66 元,募资 579 亿元

行使超额配售选择权后最多 666 亿元(约 98.3 亿美元)。同日野村发出首次覆盖,买入、目标价 116 元。

据同报告第 25 页 Company profile 与 Fig. 31「CXMT: P&L」(Company data, Nomura estimates)· 金额按报告披露的人民币口径换算为「亿元」。⚠️ 报告正文附录写 2025 年净利润为「CNY18.7bn」,但同报告 P&L 表列示 2025 年归母净利为 1,875 百万元(=18.75 亿元)、含少数股东的净利润为 71.4 亿元,三者对不上;结合 2025 年 3.0% 的净利率与 1Q26 数据判断,附录处应为量纲笔误,本文采用 P&L 表口径。· 仅供学习研究。

股东结构是这家公司最特别的地方,也是理解它的关键。长鑫没有控股股东,也没有实际控制人——报告用了一个词形容这个安排:「四梁八柱共治」,四根柱子分别是国有资本、国家大基金、产业资本和创始团队。第一大股东清辉集电本身就是一个无单一控制人的合伙企业:执行事务合伙人清辉长鑫(只占 0.01%)由董事长朱一明控制,而芯睿投资(51.09%)归合肥经开区国资委、长鑫集成(48.90%)归合肥市国资委。合肥系国资合计持股约 35%。

股东(IPO 前)持股性质
清辉集电(第一大股东)21.67%有限合伙,无单一控制人;由朱一明(经清辉长鑫)、合肥经开区国资委(经芯睿投资)、合肥市国资委(经长鑫集成)共同控制
长鑫集成11.71%合肥市国资委控制;同时持有清辉集电 48.90%
国家集成电路产业投资基金二期(大基金二期)8.73%国家级半导体基金,A 轮进入
合肥集鑫8.37%员工激励平台,创始人朱一明经此持有约 15.36 亿股激励股份
安徽省投7.91%安徽省国资委控制
兆易创新(603986.SH)~1.88%战略伙伴兼客户;2024 年以约 1,400 亿元投前估值投入 15 亿元
其他知名投资人阿里、腾讯 / 湖北小米、建银国际、农银金融、国寿投资、人保资本、君联资本、国调基金等,横跨九轮融资
合肥系国资合计~35%清辉集电、长鑫集成、合肥产投及相关国资主体加总
据同报告 Fig. 37「CXMT: Major shareholders (pre-IPO)」(Company data, Nomura research)· 为 IPO 前口径,发行后各方比例将相应摊薄 · 仅供学习研究。
创始人的两个承诺,值得单拎出来看

朱一明(同时是兆易创新的创始人与实际控制人)通过合肥集鑫持有约 15.36 亿股激励股份,并做了两项长期承诺:其一,自愿把其中 50%(约 7.68 亿股)划给未来的员工激励计划(不含他本人),自 IPO 后满 36 个月起分五年发放;其二,IPO 后锁定十年,第二个十年内每年减持不超过 20%。在一家「没有实控人」的公司里,这两项承诺是创始人用来替代控制权的东西——它换来的不是投票权,而是治理上的可信度。董事会 11 席(7 名非独立 + 4 名独立),招股书明确:任何单一股东都无法决定半数以上董事的任免。

04

技术与定价:落后五年,但价格只低 0–20%

主流节点 16–17nm · DDR5 良率约 80% / DDR4 90%+ · 晶圆 ASP US$14–15k → US$21–25k

野村给的技术画像相当具体。2026 年长鑫的主流节点在 1x–1y(约 16–17nm),DDR5 产品良率约 80%、DDR4 在 90% 以上。公司正在往 1z–1a(约 10–15nm)推进,2027 年起具备 HBM3 量产能力

关键在于推进方式:报告判断长鑫会在不使用 EUV 的前提下继续做节点迁移——用国内可得的 DUV 去做 12–16nm。这条路技术上走得通,但报告点出一个真正的软肋:12nm 以下所需的高端光刻胶,目前几乎全部由日本企业供应(东京应化 TOK、JSR、信越),国内无替代

再说定价。野村的渠道调研(对象是国内领先的手机与 PC/服务器 OEM)给出的结论有点反直觉:长鑫的报价确实低于海外龙头,但幅度不大——约低 0–20%,而且主要原因是政策层面鼓励本土科技公司以更优惠价格采购国产内存,而非产品本身被大幅折价。

但另一面必须一起看:由于主流技术落后海外龙头约五年,长鑫每片晶圆切出的合格裸片只有几百颗,而海外龙头超过一千颗。所以它 2026 年的单片晶圆 ASP 只有 US$14,000–15,000。野村的模型靠两件事把这个数字抬上去:节点从 16–17nm 迁到 14–15nm 带来每片晶圆的 bit 数提升,加上行业价格本身的上台阶——到 2027–28 年 ASP 升到 US$21,000–25,000

2023–24 · 单片晶圆 ASP(周期底部
~US$2k
2026F · 单片晶圆 ASP(DRAM 涨价驱动
US$14–15k
2027F · 单片晶圆 ASP(节点迁移驱动
~US$21k
2028F · 单片晶圆 ASP(节点迁移驱动
~US$25k
据同报告 Fig. 18、Fig. 30「CXMT wafer price」(Company data, Nomura estimates)· 2023–24 的数值为本文按图形读数的近似值,2026–28F 为报告正文明确给出的区间 · 条长按数值示意 · 仅供学习研究。报告在图上把这段涨幅明确切成两段动因:2025→2026 是行业 ASP 涨价,2026→2028 是节点迁移带来的每片 bit 数提升
被埋在中段的一条新赛道:DRAM-on-logic 晶圆级堆叠

报告花了一整节讲一件与 IPO 无关、但可能更长期的事。边缘侧的 AI 推理是典型的内存受限任务——算力需求不高(45–100+ TOPS),但要高带宽和高能效。野村测算,DRAM-on-logic 晶圆对晶圆(WoW)堆叠可以做到 1TB/s 带宽、支撑 100 TPS 以上的吞吐,并判断这条技术路线会从 2027 年底开始显著放量,落地场景是汽车智能座舱、高端手机/PC、机器人。长鑫正与兆易创新(GigaDevice)联合开发 DRAM-on-logic 的生产与设计——注意这两家的关系:兆易创新的实控人正是长鑫董事长朱一明,而兆易同时是长鑫的股东与客户。中国被认为最有可能把消费级 AIoT 的成功经验复制到物理 AI(智能车、机器人、工业与医疗)上,这条线是长鑫在通用 DRAM 之外的第二张牌。

05

产能:280k → 550kwpm,以及那条 40–45% 的 bit 曲线

晶圆出货 CAGR 20–25%,bit CAGR 40–45%——差额全部来自每两年一次的节点迁移

这是全篇最硬的一段模型。野村估计长鑫2025 年末拥有 280kwpm 产能(合肥三座厂 + 北京),2026 年末增至 350kwpm,随后2027、2028 年各再加 100kwpm,到 2028 年末达到 550kwpm。此外还在上海(芯普天盈)建设约 50kwpm 的 HBM 封装产能——注意报告的措辞:那是封装,不是 DRAM 晶圆制造

按每 1kwpm 约需 1 亿美元资本开支推算,这条扩产路径对应的投入量级在 270 亿美元上下——这也解释了为什么野村的模型里 2026–28 年每年的资本开支都是 720 亿元人民币的平台数

在满产假设下,晶圆出货量的复合增速只有 20–25%;但因为每两年升级一次节点,bit 复合增速能到 40–45%这中间的 20 个百分点,全部来自「同一片晶圆上切出更多容量」——这是存储行业最核心的杠杆,也是理解长鑫份额故事的钥匙。

2022 年末 · 产能(12″ kwpm)
~70
2023 年末
~125
2024 年末
~210
2025 年末 · 已建成
280
2026F 年末
350
2027F 年末
450
2028F 年末 · 目标
550
据同报告 Fig. 20「CXMT capacity trend」与第 15、22 页正文(Nomura estimates)· 2022–24 年末数值为本文按柱形图读数的近似值,2025–2028F 为正文明确数字 · 上海约 50kwpm 的 HBM 封装产能不含在这条曲线内 · 仅供学习研究。
长鑫增长拆解20252026F2027F2028F2029F2030F
bit 产出同比+88%+47%+50%+40%+37%+39%
晶圆出货同比+50%+33%+32%+22%+19%+21%
差额 = 节点迁移贡献38pp14pp18pp18pp18pp18pp
据同报告 Fig. 21「CXMT: bit growth and wafer shipment growth」(Nomura estimates, DRAMexchange)· 图中数值为本文按折线读数的近似值,末行「差额」为本文的相减,非报告披露项 · 仅供学习研究。行业同期供给 bit CAGR 为 30–40%,需求为 60%+——长鑫跑赢行业但仍跑输需求,这正是野村份额论证的全部内容
份额的三个口径,别混着看

报告里出现了三个不同的「份额」数字,含义并不相同:①公司口径——2025 年长鑫全球 DRAM 份额约 8%(2024 年约 4%);②野村 bit 产量口径——「当前约 10%,2028 年末升至约 18%」,对照美光的 20%+;③中国国产化口径——据 WSTS,2025 年中国占全球 DRAM 市场约 25%,但中国本土厂商(含长鑫及其他)按生产收入计的份额仅约 10%国产 DRAM 自给率因此只有约 30%。第三个口径是「国产替代」故事的空间,第二个口径才是野村用来算目标价的那一个。

06

116 元是怎么拼出来的:20 倍 × 2028 年 5.79 元

美光历史两年远期 P/E 中值 10× × A 股对美股的估值溢价 2× = 20×

估值方法本身只有三步,但每一步都建立在一个可以被质疑的前提上,值得逐条摆开:

  • 第一步:找锚。野村把美光(Micron)视为长鑫最接近的竞争对手,取其过去五年两年远期市盈率的区间 5–15 倍、中值 10 倍
  • 第二步:加溢价。同一资产在 A 股与美股的估值差做参照——盛美上海(688082.SH)对 ACM Research(ACMR.US)的市盈率长期在 1–3 倍之间。
  • 第三步:相乘取中。假设长鑫按美光的 2 倍估值,市盈率区间落在 10–30 倍,取中值 20 倍;乘以 2028 年预测每股收益 5.79 元,得到目标价 116 元

下面是这个目标价背后的盈利模型全貌。看数字之前,先看一眼毛利率那一行

长鑫存储(亿元人民币)202420252026F2027F2028F
营业收入241.8618.02,906.75,607.97,733.2
营业成本228.3364.7474.5606.8735.6
毛利13.5253.32,432.25,001.16,997.6
研发费用46.195.9392.4729.0966.7
营业利润−89.777.21,872.53,983.65,647.8
净利润(含少数股东)−90.571.41,737.53,696.65,240.9
归母净利润−71.518.81,303.22,772.53,930.7
每股收益(元)−0.10.032.054.085.79
毛利率5.6%41.0%83.7%89.2%90.5%
净利率(归母)−29.6%3.0%44.8%49.4%50.8%
ROE3.8%84.0%70.7%54.0%
资本开支712.3497.4720.0720.0720.0
据同报告 Fig. 31「CXMT: P&L」与第 2 页 Key data(Company data, Nomura estimates)· 原表以百万元列示,本文换算为亿元、保留一位小数 · 2026F 起全部为野村预测,非公司披露 · 仅供学习研究,不构成投资建议。
最该停下来算一遍的一行:90% 的毛利率是怎么来的

把这张表按增速重算一遍(以下为本文的算术,非报告口径):从 2025 到 2028 年,营业收入涨 11.5 倍(618 → 7,733 亿元),而营业成本只涨 1.0 倍(365 → 736 亿元)。换句话说,野村的模型假设「单位成本几乎不动,而售价一路上台阶」——这才是毛利率从 41.0% 冲到 90.5% 的全部来源。

这个假设并非凭空:一家满产运行、折旧已大幅前置、且处在历史级涨价周期里的存储厂,毛利率确实会剧烈扩张。但 90% 的毛利率在 DRAM 行业历史上从未出现过。读这份报告时,这一行的敏感度远高于目标市盈率——倍数错一点只影响估值,毛利率错一点直接改写盈利本身。

另一个值得自己算的数:116 元对应多大的市值

以下同为本文的推算,报告未直接披露。用报告自己的数字倒推股本:2028F 归母净利 3,930.7 亿元 ÷ 每股收益 5.79 元 ≈ 679 亿股。据此:发行价 8.66 元对应约 5,880 亿元(按报告隐含汇率约 6.77,约合 870 亿美元);目标价 116 元对应约 7.9 万亿元,约合 1.16 万亿美元。

把它放在报告自己给的坐标上:野村写明美光 2026 年 7 月 20 日的市值为 9,600 亿美元,并说长鑫的份额「会逐渐逼近美光」。所以这个目标价的真实含义不是「涨 12 倍」,而是——三年后,长鑫的市值比今天的美光还要高一截。这个说法是否成立,读者可以自己判断;但它至少比那个 +1,239.5% 的百分号更容易被检验。

07

钱会流到哪些 A 股:野村点名的国产设备、材料与封测清单

当前设备国产化率不足 40% —— 这既是风险,也是这份清单的意义所在

对 A 股读者来说,这可能是全篇最直接可用的一节。因为长鑫尚未被列入美国实体清单,它可以按「对良率与盈利的影响」来从容评估国产供应商,而不是被迫替换——报告估计其当前设备国产化率不足 40%。以下是野村据招股书与自身研究列出的核心伙伴:

环节公司代码报告备注
刻蚀中微公司688012.SH评级暂停;高深宽比刻蚀性能更优
北方华创002371.SZ评级暂停
原子层沉积 ALD微导纳米688147.SH
晶圆键合拓荆科技688072.SH未评级;性能更优
Wisdom未上市潜在供应商
量测检测精测电子300567.SZ未评级
中科飞测688361.SH未评级
清洗ACM ResearchACMR.US评级暂停(其 A 股主体盛美上海 688082.SH 亦是报告估值参照)
去胶屹唐半导体688729.SH未评级(报告以 Mattson Technology / BEST 列示)
后道封装 C-SAM / 超声检测骄成超声688392.SH未评级
半导体硅片西安奕材(奕斯伟材料)688783.SH未评级
沪硅产业688126.SH中性
化学品雅克科技002409.SZ未评级
江丰电子300666.SZ未评级
电子特气广钢气体688548.SH未评级
CMP 抛光垫 / 抛光液鼎龙股份300054.SZ买入
安集科技688019.SH买入
封测(DRAM)沛顿科技(深科技旗下)000021.SZ未评级
芯丰未上市
长电科技600584.SH买入
通富微电002156.SZ买入
华天科技002185.SZ买入
封测(HBM)芯普天盈(长鑫自有)· 芯丰 · 长电 · 通富上海 HBM 封装产能的承接方
据同报告第 20 页「Key domestic equipment, material, and OSAT partners」(据长鑫招股书与 Nomura research)· 评级为野村对该股票的评级 · 中文公司名与 A 股代码的对应关系由本站按报告所列英文简称与代码核对补齐,报告原文以英文简称列示 · 仅供学习研究,不构成投资建议。

这张清单里有一个值得多看一眼的名字:屹唐半导体(688729.SH),去胶设备。本栏目此前拆过高盛对它的覆盖——《好赛道,已定价的股票:高盛拆屹唐股份,为何全是利好却维持「中性」》。把两份报告放在一起看会有意思:高盛的问题是「利好都在价格里了」,而野村这份报告等于给这条链又添了一个下游需求源。

08

它把内存卖给了谁:经销为主,前五大客户占近七成

85%+ 经销 · 前五大集中度 68.08%(2025)· LPDDR 仍是主力,DDR 占比在快速上台阶

长鑫以经销商模式为主(85% 以上的收入经由经销商),其余为直销。前五大客户集中度分别为 74.12%(2023)→ 67.30%(2024)→ 68.08%(2025)——集中度在下降后基本稳住。报告点名的终端客户包括:阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo;此外招股书注明兆易创新集团(由董事长朱一明控制)也是客户

产品结构上,LPDDR 系列占 2025 年收入的 66.43%(2023 年为 74.54%),DDR 系列占 31.87%(2023 年为 20.16%)——DDR 占比三年间上升约 12 个百分点,反映的是 DDR5 服务器产品的爬坡。至于 HBM:野村判断长鑫已向国内领先的 ICT 公司及其他企业送出 HBM3 样品,但认证需要时间;HBM3e 仍在研发中

据同报告第 21 页「Major customers and revenue breakdown of CXMT」(Company data)· ⚠️ 报告原文将 LPDDR 的 66.43% 写作「up from 74.54%」,但数值方向为下降,本文按数值方向表述;DDR 的「up from 20.16%」与数值一致 · Fig. 27(2026F 收入的终端应用结构)与 Fig. 28(2026F DDR 产能中 DDR4 / DDR5 的比例)为饼图无标注数值,本文不作读数引用 · 仅供学习研究。
09

最该盯住的那条线:MATCH 法案与上海的两期厂

最坏情形下 2027F/28F 营收 −13% / −30%,归母净利 −14% / −33%

报告把MATCH 法案单列为核心风险,并且给了量化。这项美国出口立法的设计意图是:协调盟友限制关键设备与材料对华出口,并阻止外国企业为已在中国的机器提供服务——注意最后半句,它针对的不是新增采购,而是存量设备的维护权

野村的判断是分层的:长鑫在 12–16nm 节点上可能仍有足够的国产 DUV 可用、不需要 EUV;真正不确定的是两样东西——关键的外国产设备(国产化率约 40%,意味着六成仍依赖进口)和材料。材料里最要命的是高端光刻胶:目前几乎由东京应化(TOK)、JSR、信越化学等日本企业主导,中国无任何替代。报告说得很直白:如果长鑫被禁止进口日本光刻胶,它可能无法把制程推进到 15nm 以下。

最坏情形被具体量化了。上海的产能与先进节点(15nm 以下)和 HBM 生产绑定,规划可能是两期 DRAM 产线(每期 100kwpm)加 50kwpm 的 HBM 封装。如果 2027/28 年这 200kwpm 被取消:

  • 营业收入:2027F −13%,2028F −30%
  • 归母净利润:2027F −14%,2028F −33%

报告在开篇的「最坏情形」里给出的假设更温和一些——上海产能(届时可能占其总产能的 30–40%)被推迟而非取消。两种表述都指向同一件事:这份看多报告里,大约三分之一的 2028 年盈利押在上海那块地上。

下行风险报告的具体表述
终端需求走弱服务器、PC、智能手机、汽车需求恶化
国内同业竞争长江存储(YMTC,未上市)也在开发 DDR5,可能在 2026 年底具备送样条件,但初期可能主要用于其自有 SSD
配套 IC 与元件短缺例如 CPU 供应不足——存储卖得再多,整机装不出来也没用
地缘政治升级中美紧张加剧,将同时危及业务拓展、产能扩张与技术迁移三条线
据同报告第 1、19、24 页风险段(Nomura)· 仅供学习研究,不构成投资建议。
10

该冷静的地方:五个容易被读错的数字

其中第一个最要紧——那个 +1,239.5% 的对标物,不是你在盘面上看到的价格

其一,+1,239.5% 是相对发行价算的。报告首页的价格栏写得很清楚:CNY 8.66(27-Jul-2026)——那是IPO 发行价,不是上市后的交易价格。A 股新股上市首日通常会大幅高开,这个百分号在二级市场投资者的实际买入价上并不成立。它衡量的是「发行定价与野村内在价值判断之间的差」,更像是对发行定价机制的评论,而不是对未来收益率的预测。这是本篇最需要防止被误读的一个数字。

其二,毛利率 90.5% 是模型的假设,不是趋势的外推。它建立在「成本几乎不涨、售价一路上台阶」之上(见第 06 节的算术)。而野村自己在第 02 节的行业表里已经预测DRAM 价格 2027 年见顶、2028 年起逐年回落——两者要同时成立,只能靠 bit 出货量的高速增长来接力。盈利模型的脆弱点在这里,不在市盈率上。

其三,20 倍目标市盈率有两个可变前提。一是美光的历史中值 10 倍(区间 5–15 倍,取哪个点差异巨大);二是A 股相对美股的估值溢价 1–3 倍(报告取了中间的 2 倍)。两个前提各自的区间都很宽,相乘之后得到的 10–30 倍,本身就是一个三倍宽的区间——116 元只是它的中点。

其四,少数股东要拿走约四分之一。2028F 净利润 5,240.9 亿元,归母只有 3,930.7 亿元——差额 1,310 亿元(约 25%)归少数股东。这反映的是集团下运营主体层面地方国资的持股。看这家公司时,「净利润」和「归母净利润」两个口径不能混用

其五,这是一家机构的单一观点,而且与同期另一份大行报告直接冲突。就在同一周,伯恩斯坦(Bernstein)在其全球内存报告中给出了一个几乎相反的判断:「没有 EUV,中国最终将很难在 DRAM 市场上竞争」——这也正是它看多三星、SK 海力士、美光的核心理由之一。野村这篇则明确认为长鑫在 12–16nm 上不需要 EUV 也能推进。两家大行在同一个技术前提上给出了相反结论,这个分歧本身,比任何一方的目标价都更值得跟踪。

一句话总结这份首次覆盖

野村这篇报告真正的贡献不是那个目标价,而是它把「国产替代」的叙事换成了一道供需算术:智能体把内存需求变成乘法(并发任务 50 倍 ÷ 效率技术 4 倍 = 仍涨 10 倍以上),扩产受限于洁净室、设备、材料和人只能是加法(30–40%),差额在 2030 年前补不上。在这个框架里,长鑫的价值不来自「替代谁」,而来自它是全球少数几家能把 bit 产能以 40–45% 增速推出去的厂之一而这个论证唯一真正的敌人,不是竞争对手,是那条可能断掉的日本光刻胶供应线。

延伸阅读——把长鑫放进这一整轮存储行情里会更清楚:《9,500 亿美元先把内存包下来:伯恩斯坦说,AI 真正稀缺的不是逻辑芯片》是本篇最好的对照组,它同样认为内存比逻辑更稀缺,却在「中国能不能做 DRAM」上给出了相反的结论,两篇对读能看清这场分歧的全貌;《存储股这波急跌,大摩当成「上车点」》提供的是需求侧的第三方交叉验证——大摩同样把内存称作「比电更硬的瓶颈」,只是它下注的是美光和闪迪;《把估值锚点搬到 2030 年:高盛重构中国半导体设备估值框架》则接住了本篇第 07 节那张国产供应链清单,回答「长鑫花出去的钱,最终会在哪些公司的报表上落地」。三篇合起来回答同一个问题:当内存成为 AI 真正的卡口,这道缺口的红利会分给谁——是守着 EUV 护城河的三巨头,还是那个不用 EUV 也要把产能推出去的挑战者。

题眼:先算全球内存缺口,再谈国产替代 需求 60%+ bit CAGR vs 供给 30–40% · 长鑫 40–45% 并发智能体任务 2030F/2026F ~50× ÷ 效率技术 ≤5× = 内存用量仍 >10× 产能 280 → 550 kwpm(2025→2028F)· 每 1kwpm 约 US$1 亿 主流 16–17nm · DDR5 良率 ~80% · 晶圆 ASP US$14–15k → 21–25k 首次覆盖 Buy · TP CNY116 = 20× 2028F EPS 5.79 元 份额 ~10% → ~18%(2028F 末)· 美光 20%+ 最大风险:MATCH 法案 → 上海 200kwpm 若失,2028F 归母净利 −33% 冷静:+1,239.5% 对标发行价非市价 · 90.5% 毛利率是假设 · 少数股东占约 25% 分歧:伯恩斯坦「无 EUV 中国难做 DRAM」vs 野村「12–16nm 不需要 EUV」