… 28nm-7nm 主力工艺。193nm ArF 浸没式光刻是先进制程的主力（EUV光刻 之前的全部节点 + 中国当前最先进节点）。ASML /尼康/ 佳能 三强格局，对华相对开放。中国 上海微电子 SSA/800 达到 28nm 节点（据 半导体设备与核心材料）。 …
… EUV 禁运下的唯一选择：对华 EUV 禁运，DUV 浸没式仍可向中国出口（但 1980Di 起部分管控） 主要玩家 · 设备三强：
· ASML — DUV 全球份额 85%+（含浸没式）
尼康主要做 ArF 干式 + KrF
· 佳能 — KrF + i-line 主力
· 中国设备：上海微电子 SMEE — SSA/800 达 28nm（ArF 干式起步，浸没式攻关中） …
… 中国设备：上海微电子 SMEE — SSA/800 达 28nm（ArF 干式起步，浸没式攻关中）
· 关键子部件：
· 光源 — Cymer / Gigaphoton（小松 /尼康合资）
· 光刻胶 — JSR / TOK / 信越化学 / 南大光电 / 彤程新材
· 掩模 — Photronics / 凸版印刷 / 路维光电 …
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