高盛长鑫:4F²量产仍待验证
- 高盛认为长鑫4F²缩小了存储单元,但客户认证、量产良率和单位成本尚待验证;同一线宽下单元面积理论减少三分之一,不能直接当作整片成本降幅。
- 高盛正文预计长鑫月产能由2026年末29万片增至2028年末51.3万片,增幅77%;原图柱高与正文不一致,本文保留差异、不把晶圆产能换成位元份额。
- 高盛预计长鑫2028年只能满足中国约50%的DRAM需求和40%的HBM需求;两者均为机构预测,先进DRAM、堆叠封装与底层逻辑芯片仍须分别验证。
股价回落和新架构之间,缺少因果证明
高盛10月16日这份报告讨论两个不同问题:长鑫扩产是否被低估,以及4F²能否很快形成量产竞争力。它认可前者,认为后者仍要等待工艺与客户验证。
报告图1显示,所列六家存储企业股价跌幅为11%–26%,图2给出的合计市值减少约7380亿美元。但图2横轴是10月1日至15日,而4F²消息在正文中记为10月10日披露;这组图不能证明全部跌幅由同一消息引起。正文也同时列出融资和宏观因素,且NAND厂商也下跌。
DDR5现货价格在原图3同期继续上行。股价提前交易未来竞争,现货反映当期交易,两者背离本身不能证明谁已正确预测周期。本文不将报告截点数据写成当前行情。
4F²缩小单元,理论密度提高一半
4F²存储单元把传统6F²单元的占地改为4F²。在F相同的简化条件下,单元面积变成原来的4÷6,即66.7%;反过来,同面积可容纳的单元数为6÷4,即1.5倍。
这不是“4纳米”。F可以不变,变化发生在单元布局和结构。垂直环绕栅晶体管让沟道竖直排列;晶圆对晶圆混合键合允许存储阵列与控制电路在不同晶圆上制造后连接。二者解决不同的结构问题。
| 比较项 | 6F²基准 | 4F²简化结果 |
|---|---|---|
| 单元面积指数 | 100 | 66.7 |
| 同面积单元数指数 | 100 | 150 |
| 整颗芯片面积与成本 | 需含外围电路 | 不能直接由4÷6得出 |
密度优势要经过良率和工序成本检验
高盛列出的工艺代价包括:垂直晶体管一致性、小体积电容储电能力、密集布线干扰,以及键合的对准和新增工序。它们共同决定良率和成本;能做出读写样片只是其中一关。
为说明这条约束,下面是本站自设的单元阵列模型:传统方案良率90%、制造成本指数100;新方案理论单元数为1.5倍、制造成本提高20%。新方案合格位元成本相对旧方案=1.2×90%÷(1.5×新良率)。这里只演示敏感性,不代入长鑫真实工艺参数。
| 新方案假设良率 | 合格位元成本指数 | 相对基准100 |
|---|---|---|
| 90% | 80.0 | 低20.0% |
| 80% | 90.0 | 低10.0% |
| 72% | 100.0 | 持平 |
| 60% | 120.0 | 高20.0% |
在这组假设下,72%是成本持平点。若新增工序更贵、单元缩小不能等比例传导到整颗芯片,临界条件还会变化。高盛未披露可据以验证的长鑫4F²量产良率和单位成本,因此不能把理论密度收益直接计入盈利。
长鑫扩产更快,但原图和正文不闭合
高盛正文预计,2026年末三星、SK海力士和长鑫的DRAM每月晶圆产能分别为77万、66万和29万片;2028年末分别为93万、77万和51.3万片。这些是机构估算,不是已实现产量。
| 厂商 | 2026年末E(万片/月) | 2028年末E(万片/月) | 两年增幅(计算) |
|---|---|---|---|
| 三星 | 77 | 93 | 20.8% |
| SK海力士 | 66 | 77 | 16.7% |
| 长鑫 | 29 | 51.3 | 76.9% |
按正文数字计算,长鑫相对三星的晶圆产能比例从37.7%升至55.2%;相对SK海力士从43.9%升至66.6%。这支持高盛“规模差距缩小”的判断,却不能换算成收入或HBM份额。制程、产品结构、裸片面积和良率都会改变位元产出。
原报告同页图7的2028E柱高大致落在三星90万、海力士74万、长鑫45万片附近,未与正文93/77/51.3万片吻合,差异已超过统一四舍五入能解释的程度。本文用明确写出的正文数值计算并保留此矛盾,不从图形反造精确数据,也不猜图表是否漏改。
常规DRAM与HBM必须分别看供给
高盛预计,即使长鑫按其模型扩产,2028年仍只能满足中国约50%的DRAM需求和40%的HBM需求。这是两个不同产品市场的覆盖率预测;不能相加,也不能推出全球份额或进口金额。
在先进常规DRAM上,报告认为韩国厂商的产品组合正由1b向1c转移,而长鑫仍以1z为主。该制程判断属于高盛模型,节点名称不是统一的几何尺寸标准。4F²架构进展并不能单独证明完成所有制程迁移。
高带宽内存还要叠加存储裸片、堆叠互连和底层逻辑芯片的制造能力。高盛以三星HBM4使用先进代工底层芯片为例,说明先进代工与封装是独立约束。单元占地变小,不会自动解决这些环节。
| 要验证的环节 | 可观察的证据 | 不能替代它的消息 |
|---|---|---|
| DRAM单元与工艺 | 规格、保持时间、量产良率 | 架构名称或实验室演示 |
| 客户与交货 | 认证通过、稳定批量交付 | 计划在年底推出产品 |
| HBM整体系统 | 堆叠、底层芯片、热与带宽实测 | 常规DRAM晶圆扩产 |
官方研究证明路线存在,尚未证明量产领先
高盛援引报道,称长鑫希望在2026年末进入送样阶段。本文将这一时间表保留为报告转述,不写成公司已确认的量产承诺;截至本轮核验,已查到的长鑫官网产品页未提供足以独立确认这次4F²量产良率和交货量的参数。
SK海力士官方研究页在2025年7月18日已公布4F²垂直栅与外围电路位于阵列下方的集成演示;2026年6月9日的VLSI预告继续介绍电气特性与晶圆键合结构。原报告把一次读写演示写到2026年7月,和上述官方2025年条目时间不同,因此这里直接按官方条目标日期,不把它们擅自认定为同一场演示。
这两份一手研究资料能确认领先厂商也在研究4F²。它们没有给出可用于比较长鑫、三星与海力士商业成本和量产速度的统一基准。客户认证、可重复制造与规模出货仍需分别证明。
高盛的估值判断依赖更长的景气周期
报告正文列三星2027E/2028E 市净率为1.2/0.9倍,海力士为1.4/0.9倍。高盛认为市场已计入2028年下行周期,与它对景气持续更久的判断不同。这里的关键是未来利润和净资产预测,而不是仅凭“低于1倍”就能判断便宜。
图8和图10另用12个月前瞻口径,分别标1.3倍和1.5倍,不能和上面的特定年度估值混为同一数字。高盛也承认近期推动快速估值修复的催化剂可能有限。
后续最有辨识度的证据依次是:送样规格、客户认证、可重复的量产良率、合格位元成本,以及HBM底层芯片和堆叠交付。长鑫扩产与新架构各自推进到哪一步,比把所有消息合成“全面追平”更有解释力。
来源利益关系:报告披露高盛过去12个月与三星和SK海力士存在投行业务关系,并披露海力士做市关系;对长鑫写明无公司特定披露。本篇保留机构观点的归属,不将评级或目标价转换为投资建议。
把单元结构、产能扩张与制造设备放在同一张产业链上看。
- 01野村长鑫首次覆盖产能与产品结构的前序模型对照另一机构的扩产和产品组合假设,观察预测差异来自哪些输入。↗
- 02高盛常规DRAM供给同一市场的供需背景补充韩国厂商配置HBM产能后,常规DRAM位元供给受到的约束。↗
- 03SemiAnalysis ASML键合新增工序的设备约束从设备节拍、对准和良率角度理解混合键合怎样影响制造经济性。↗
合格位元的持续交付,才是这些环节最终需要共同解释的结果。
- 市场图表的窗口与消息日不同,不能用跌幅证明单一事件因果。
- 同F条件下,6F²变4F²可令单元面积减少三分之一。
- 理论密度须与工序成本和良率一起核算。
- 长鑫扩产速度更快;原文产能正文与图7仍有差异。
- DRAM需求覆盖率、HBM覆盖率和全球份额是不同口径。
- 领先厂商已有4F²研究,演示和商业量产仍须区分。
- 高盛的估值结论依赖未来周期假设及商业验证。
