高盛：明年常规DRAM供给仍受约束
- 高盛认为韩国厂商优先配置HBM产能，将限制2027年常规DRAM位元供给增长；南亚科新厂要到2027年第四季才开始晶圆产出。
- 南亚科三季度DRAM均价环比上涨超过60%，营业利润率升至80%；长约续价推动盈利改善，不代表出货量同步大增。
- 报告称南亚科长约覆盖50%至70%，三年期合约对应超过20%的产出；供给紧张正改变合同期限，2029至2030年AI收入占比目标为40%至50%。
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关注的是常规内存供给，而非只有HBM
高盛在南亚科公布三季报后，把这家台湾内存厂的表现作为观察三星与SK海力士的线索。报告的核心判断是：AI拉动的产能配置变化，仍会约束2027年常规DRAM的供应。这里讨论的是存储容量的增长，而不是芯片颗数、营业收入或股价。
逻辑分成两步。韩国厂商把新增资源优先投向HBM，常规DRAM新增供给受到约束；南亚科自己的新厂也要到2027年第四季才开始晶圆产出。两种供给约束叠加，是高盛继续看好存储供需的理由。这是报告对未来的判断，不能据此认定所有产品都会按同一幅度涨价。
读这份报告，要把已经发生的季度业绩、管理层的扩产安排和高盛的行业预测分开。下文按这三层展开，不把一家公司的情况直接扩成全球精确的供需缺口。
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